特許

J-GLOBAL ID：201103015527769648

低誘電率多孔質シリカ質膜、半導体装置およびコーティング組成物

発明者： 青木 倫子 ,  清水 泰雄
出願人/特許権者： AZエレクトロニックマテリアルズ株式会社
代理人 (4件)： 吉武 賢次 ,  中村 行孝 ,  紺野 昭男 ,  横田 修孝
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-199282
公開番号（公開出願番号）：特開2001-026415
特許番号：特許第4408994号
出願日： 1999年07月13日
公開日（公表日）： 2001年01月30日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 アルミニウム含有ポリシラザンとポリアクリル酸エステルまたはポリメタクリル酸エステルとを含む組成物の膜を焼成することにより得られる、比誘電率が2.0以下であり、かつ内部に直径5〜30nmの微細な細孔が形成されていることを特徴とする多孔質シリカ質膜。

IPC (3件)：

C01B 33/12 ( 200 6.01) ,  H01L 21/316 ( 200 6.01) ,  C09D 183/16 ( 200 6.01)

FI (3件)：

C01B 33/12 C ,  H01L 21/316 G ,  C09D 183/16

引用特許：

審査官引用 (3件)

• ハードコート膜を被覆した物品及びハードコート膜の被覆方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-344031   出願人：東燃株式会社
• 低誘電率シリカ質膜
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-282987   出願人：東燃株式会社
• コーティング用組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-091856   出願人：東燃株式会社