特許
J-GLOBAL ID：201103016126350268

半導体光素子

発明者：
清田 和明

清田 和明 について


出願人/特許権者：
古河電気工業株式会社

古河電気工業株式会社 について


代理人 (2件)： 酒井 宏明 ,  田代 至男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-105286
公開番号（公開出願番号）：特開2011-233828
出願日： 2010年04月30日
公開日（公表日）： 2011年11月17日
要約：
【課題】AlGaInAs活性層の酸化を抑制でき、素子特性の劣化を防止することにより高信頼性で長寿命の半導体光素子および集積型半導体光素子を提供すること。【解決手段】半導体レーザ100の長さ方向Lの両端面に、長さ方向Lの中央に位置する部分の、下部SCH層112、多重量子井戸活性層113、上部SCH層114の代わりに、Alを含まないGaInAsPでなる、受動導波路層としてのコア層123が形成されている。【選択図】図4
請求項（抜粋）：
半導体基板上に、前記半導体基板上に配置された下部クラッド層と、前記下部クラッド層上に配置されたコア層と、前記コア層上に配置された上部クラッド層と、を少なくとも有する半導体光素子であって、 前記コア層は、アルミニウム(Al)を含む材料からなる活性層と、アルミニウムを含まない材料からなる受動導波路層とが光伝播方向に順次接続されてなり、光が入出力される端面における前記コア層は前記受動導波路層であることを特徴とする半導体光素子。
IPC (3件)：
H01S 5/16 ,  H01S 5/343 ,  H01S 5/22
FI (3件)：
H01S5/16 ,  H01S5/343 ,  H01S5/22
Fターム (11件)：
5F173AA08 ,  5F173AB13 ,  5F173AD16 ,  5F173AD19 ,  5F173AD30 ,  5F173AG05 ,  5F173AG12 ,  5F173AH30 ,  5F173AP05 ,  5F173AP82 ,  5F173AR96
引用特許：
審査官引用 (3件)

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