特許
J-GLOBAL ID：200903065412599080

半導体レーザの製造方法

発明者：
佐藤 宏

佐藤 宏 について

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土屋 朋信

土屋 朋信 について

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青木 雅博

青木 雅博 について

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北谷 健

北谷 健 について

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▲高▼橋 範次

▲高▼橋 範次 について


出願人/特許権者：
株式会社日立製作所

株式会社日立製作所 について

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日本オプネクスト株式会社

日本オプネクスト株式会社 について


代理人 (2件)： 小川 勝男 ,  田中 恭助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-382026
公開番号（公開出願番号）：特開2005-150181
出願日： 2003年11月12日
公開日（公表日）： 2005年06月09日
要約：
【課題】 本発明は、InGaAlAs系材料を活性層とする埋め込みヘテロ型レーザにおいて、活性層に含まれるAlの酸化によって活性層の埋め込み再成長が阻害されるのを防止することにより、結晶欠陥の少ない埋め込み成長層を有し、低消費電力で高信頼性を有するレーザ素子の製造方法を提供することにある。 【解決手段】 半導体基板101上の少なくとも一部または全体に、活性層102とクラッド層103が順次積層された半導体レーザにおいて、活性層が少なくともAlを含有する材料から構成され、かつ、断面構造が埋め込みヘテロ型であり、この埋め込みヘテロ型構造の形成において、少なくともウエットエッチングを含むエッチングによって活性層をストライプ状またはメサ状に加工する工程と、ストライプ状のコア層側壁を塩素または他のハロゲン元素を含有するガスを用いて結晶成長装置内で清浄化する工程と、半導体で活性層を埋めこむ工程とを有する半導体レーザの製造方法。【選択図】 図3
請求項（抜粋）：
半導体基板上に第1の化合物半導体層と、第2の化合物半導体層と、第3の化合物半導体層とが積層され、少なくとも前記第2の化合物半導体層がAlを含む材料からなる積層膜を形成する工程と、 少なくともウエットエッチングを含むエッチング方法を用いて、前記積層膜をエッチングすることにより、前記Alを含有する材料がその一部において露出した側壁部を有する立体構造を形成する工程と、 結晶成長装置内に設けれたプレート板上に、前記立体構造が形成された半導体基板を設置し、前記結晶成長装置内にハロゲン元素を含有するガスを導入することにより、前記側壁部を清浄化する工程と、 前記結晶成長装置内において、前記清浄化工程に引き続いて前記側壁部に隣接する領域を、半導体材料の結晶成長により埋め込む工程とを有することを特徴とする半導体光素子の製造方法。
IPC (6件)：
H01S5/227 ,  H01L21/205 ,  H01L21/306 ,  H01L21/3065 ,  H01L31/107 ,  H01S5/223
FI (6件)：
H01S5/227 ,  H01L21/205 ,  H01S5/223 ,  H01L31/10 B ,  H01L21/302 102 ,  H01L21/306 B
Fターム (51件)：
5F004AA14 ,  5F004BA20 ,  5F004DA00 ,  5F004DA29 ,  5F004DB00 ,  5F004DB19 ,  5F004EA06 ,  5F004EA07 ,  5F004EA10 ,  5F004EA34 ,  5F043AA15 ,  5F043BB08 ,  5F043DD15 ,  5F043FF05 ,  5F045AA04 ,  5F045AB12 ,  5F045AC02 ,  5F045AC13 ,  5F045AD10 ,  5F045AF04 ,  5F045AF13 ,  5F045EB15 ,  5F045HA04 ,  5F049MA08 ,  5F049MB07 ,  5F049NA20 ,  5F049NB01 ,  5F049PA01 ,  5F049PA14 ,  5F049QA01 ,  5F049QA13 ,  5F049QA15 ,  5F049QA20 ,  5F049SS04 ,  5F073AA13 ,  5F073AA22 ,  5F073AA64 ,  5F073AA67 ,  5F073AA74 ,  5F073AA83 ,  5F073AA89 ,  5F073BA01 ,  5F073CA06 ,  5F073CA15 ,  5F073CB19 ,  5F073DA21 ,  5F073DA23 ,  5F073DA24 ,  5F073EA23 ,  5F073EA27 ,  5F073EA28
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (5件)
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