特許

J-GLOBAL ID：201103016193186537

半導体装置の製造方法

発明者： 戸田 直樹
出願人/特許権者： 株式会社ルネサステクノロジ ,  株式会社ルネサス東日本セミコンダクタ
代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-233339
公開番号（公開出願番号）：特開2001-060599
特許番号：特許第3792080号
出願日： 1999年08月20日
公開日（公表日）： 2001年03月06日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 リードパターンが繰り返し形成されたテープキャリアに設けられたデバイスホールから突出する複数のインナリードの画像データを取り込む際に、前記インナリードを任意の領域に分割し、2つ以上の画像データとして取り込む工程と、 取り込まれた前記画像における前記デバイスホールの周辺部近傍に第1のプロファイルウィンドウを設け、前記画像における前記インナリードの先端部近傍に第2のプロファイルウィンドウを設ける工程と、 前記第1のプロファイルウィンドウ内に位置する前記インナリードの中心と、前記第2のプロファイルウィンドウ内に位置する前記インナリードの中心との偏差を求める工程と、 求められた偏差と任意の判定値とを比較し、偏差が判定値よりも大きい場合に前記インナリードの曲がりを検出する工程とを有したことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (1件)：

H01L 21/60 ( 200 6.01)

FI (3件)：

H01L 21/60 321 Y ,  H01L 21/60 311 R ,  H01L 21/60 311 T

引用特許：

審査官引用 (2件)

• IC外観検査方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-067472   出願人：株式会社小松製作所
• パターン検査装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-052538   出願人：三井金属鉱業株式会社