特許
J-GLOBAL ID：201103016756018539
Cu-Ag合金線及びCu-Ag合金線の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山野 宏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-230069
公開番号（公開出願番号）：特開2011-246802
出願日： 2010年10月12日
公開日（公表日）： 2011年12月08日
要約：
【課題】導電率が高く、高強度なCu-Ag合金線及びそのCu-Ag合金線の製造方法を提供する。【解決手段】Agを含有する銅合金からなるCu-Ag合金線であって、Agを0.1質量%以上15質量%以下含有し、残部がCu及び不純物からなる。このCu-Ag合金線の断面において1000nm×1000nm以内で任意の観察視野をとったとき、この観察視野中に存在するAgの晶析出物のうち、晶析出物を切断する直線の最大長さが100nm以下である晶析出物の面積率が40%以上である。非常に微細な粒状のAgが均一的に分散して存在することによって、分散強化を図ることができ、強度をより向上することができる上に、高い導電率を有することができる。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
Agを含有する銅合金からなるCu-Ag合金線であって、
Agを0.1質量%以上15質量%以下含有し、残部がCu及び不純物からなり、
該Cu-Ag合金線の断面において1000nm×1000nm以内で任意の観察視野をとったとき、この観察視野中に存在するAgの晶析出物のうち、晶析出物を切断する直線の最大長さが100nm以下である晶析出物の面積率が40%以上であることを特徴とするCu-Ag合金線。
IPC (9件)：
C22C 9/00
, H01B 5/02
, C22F 1/08
, H01B 11/18
, H01B 11/20
, H01B 1/02
, B21C 1/00
, H01B 13/00
, H01B 11/00
C22C9/00
, H01B5/02 Z
, C22F1/08 C
, H01B11/18 D
, H01B11/20
, H01B1/02 A
, B21C1/00 L
, H01B13/00 501D
, H01B11/00 A
4E096EA04
, 4E096EA12
, 4E096HA21
, 5G301AA01
, 5G301AA02
, 5G301AB02
, 5G301AD01
, 5G307CA03
, 5G307CB01
, 5G319FA01
, 5G319FB01
, 5G319FC02
, 5G319FC06
, 5G319GA08
