薄膜太陽電池ダミーモジュール

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：特許業務法人ユニアス国際特許事務所
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-201312
公開番号（公開出願番号）：特開2001-027023
特許番号：特許第4226153号
出願日： 1999年07月15日
公開日（公表日）： 2001年01月30日
請求項（抜粋）：

【請求項1】外観上は薄膜太陽電池モジュールと同様であるが発電に利用されない薄膜太陽電池ダミーモジュールであって、前記薄膜太陽電池モジュールは、基板と、前記基板の一主面上に順次積層された第1電極層、半導体光電変換層、および第2電極層を含む積層体とを備え、前記半導体光電変換層は、少なくとも1つのpin型光電変換ユニット層を含み、前記薄膜太陽電池モジュールは、前記pin型光電変換ユニット層のうち、i層を有しており、かつ、少なくともp層またはn層のいずれかが省略されたものである薄膜太陽電池ダミーモジュール。

IPC (1件)：