特許

J-GLOBAL ID：201103016927337417

半導体記憶装置

発明者： 沖崎 真継
出願人/特許権者： エヌイーシーマイクロシステム株式会社
代理人 (1件)： 堀 城之
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-019831
公開番号（公開出願番号）：特開2000-222877
特許番号：特許第3317912号
出願日： 1999年01月28日
公開日（公表日）： 2000年08月11日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 データを取り込むための同期信号を入力し、内部同期信号を出力する同期信号入力手段と、前記内部同期信号に同期して、データを取り込む取り込み手段と、前記データを記憶する記憶手段と、前記データの前記記憶手段への書き込みを指示するライトコマンドの入力に応答して、前記同期信号入力手段のイネーブルまたはディセーブルを制御する制御手段とを有し、前記制御手段は、前記ライトコマンドが入力されたとき、前記同期信号入力手段をイネーブルにして前記内部同期信号を出力させるとともに、前記内部同期信号のクロッキング回数のカウントを開始し、カウント数が所定の基準回数に達したとき、前記同期信号入力手段をディセーブルにすることを特徴とする半導体記憶装置。

IPC (2件)：

G11C 11/407 ,  G11C 7/00 312

FI (3件)：

G11C 7/00 312 Z ,  G11C 11/34 362 S ,  G11C 11/34 354 C

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-329531   出願人：富士通株式会社
• 同期型半導体メモリ装置のデータ入力回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-068241   出願人：三星電子株式会社
• 半導体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-189582   出願人：富士通株式会社, 富士通ヴィエルエスアイ株式会社