特許
J-GLOBAL ID：201103017491845086

電子素子の製造方法および電子素子

発明者：
岩佐 孝

岩佐 孝 について

, 
石川 順三

石川 順三 について


出願人/特許権者：
本田技研工業株式会社

本田技研工業株式会社 について


代理人 (2件)： 落合 健 ,  仁木 一明
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-170637
公開番号（公開出願番号）：特開2001-006523
特許番号：特許第4104248号
出願日： 1999年06月17日
公開日（公表日）： 2001年01月12日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 非晶質炭素膜よりなり且つセシウム(m)を含有する主体部(3a)と、その主体部(3a)を被覆し且つsp3 性の高い非晶質炭素膜よりなる表面層(3b)とを有していて、前記表面層(3b)において、X線光電子分光法によるC1S電子の光電子スペクトルの半値幅HwがHw≦2.0eVであり、 前記主体部(3a)が、前記表面層(3b)との界面(i)に前記セシウム(m)の酸化物よりなる複数の突起(p)を有すると共に、前記表面層(3b)が、前記突起(p)に倣って形成された複数の凸部(r)を有している電子素子の製造方法であって、 負イオンビームを用いるイオンビーム蒸着法により、セシウム(m)が内部及び表面に点在する非晶質炭素膜よりなる前記主体部(3a)を形成し、 次いで、その主体部(3a)の表面に点在するセシウム(m)を酸化させて、その酸化物による複数の突起(p)を該主体部(3a)の表面に形成し、 その後、負イオンビームを用いるイオンビーム蒸着法により、前記主体部(3a)の、前記突起(p)が点在する表面に、非晶質炭素膜よりなる前記表面層(3b)を形成することを特徴とする、電子素子の製造方法。
IPC (3件)：
H01J 9/02 ( 200 6.01) ,  H01J 1/304 ( 200 6.01) ,  C23C 14/06 ( 200 6.01)
FI (3件)：
H01J 9/02 B ,  H01J 1/30 F ,  C23C 14/06 F
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (1件)
引用文献：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (1件)

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