特許
J-GLOBAL ID：201103018123165055

二酸化バナジウムナノワイヤとその製造方法、及び二酸化バナジウムナノワイヤを用いたナノワイヤデバイス

発明者：
伊藤 大輔

伊藤 大輔 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (3件)： 森 幸一 ,  吉井 正明 ,  山本 孝久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-143007
公開番号（公開出願番号）：特開2011-001202
出願日： 2009年06月16日
公開日（公表日）： 2011年01月06日
要約：
【課題】VO2ナノワイヤ及びこれを用いたナノワイヤデバイス【解決手段】遷移金属原子によるナノ粒子又はナノドットを成長触媒3として基板1に形成し、減圧下で加熱された基板面に、気相-液相-固相(VLS)成長法によって、VO2ナノワイヤを[110]方向に沿って細長く成長させる。基板として正方晶系のTiO2を使用し結晶面を(110)面とすると、基板の面に対して90°の方向にVO2ナノワイヤ2aを、結晶面を(100)面とすると、45°の方向にVO2ナノワイヤ2bを成長させることができる。ナノワイヤの形成領域が制御でき、径、成長方向、長さが制御されたVO2ナノワイヤを基板に高密度に形成できる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
[110]方向に沿って細長く成長された二酸化バナジウムナノワイヤ。
IPC (4件)：
C01G 31/02 ,  B82B 3/00 ,  B82B 1/00 ,  G01J 1/02
FI (4件)：
C01G31/02 ,  B82B3/00 ,  B82B1/00 ,  G01J1/02 C
Fターム (16件)：
2G065AA04 ,  2G065AB02 ,  2G065AB04 ,  2G065BA12 ,  2G065BA14 ,  2G065DA20 ,  4G048AA02 ,  4G048AA03 ,  4G048AB01 ,  4G048AB03 ,  4G048AC04 ,  4G048AC08 ,  4G048AD01 ,  4G048AD04 ,  4G048AE05 ,  4G048AE08
引用特許：
審査官引用 (1件)
引用文献：
審査官引用 (1件)

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