特許

J-GLOBAL ID：201003021728318094

一次元ナノ構造体の製造方法及びその装置

発明者： 伊藤 大輔
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (3件)： 森 幸一 ,  逢坂 宏 ,  松村 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-224637
公開番号（公開出願番号）：特開2010-059004
出願日： 2008年09月02日
公開日（公表日）： 2010年03月18日
要約：

【課題】VO2(M)(単斜晶型)ナノワイヤ等の一次元ナノ構造体を低温かつ高速に再現性良く形成することができる一次元ナノ構造体の製造方法及びその装置を提供する。【解決手段】基板2に対向して、VO2ターゲット7を配し、この状態でレーザー光10をターゲット7に照射し、これによって生じたターゲット昇華物質と雰囲気ガスとによって発生するプラズマ(プルーム11、12)が基板2に実質的に届かないようにする圧力条件下で、ターゲット昇華物質をクラスター14として基板2に付着させてVO2(M)ナノワイヤを形成する。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

基体に対向して、バナジウムを含有するターゲットを配し、この状態でレーザー光を前記ターゲットに照射し、これによって生じたターゲット昇華物質と雰囲気ガスとによって発生するプラズマが前記基体に実質的に届かないようにする圧力条件下で、前記ターゲット昇華物質を前記基体に付着させて一次元ナノ構造体を形成する、一次元ナノ構造体の製造方法。

IPC (6件)：

C30B 29/62 ,  B82B 3/00 ,  C30B 23/08 ,  H01L 27/105 ,  H01L 45/00 ,  H01L 49/00

FI (6件)：

C30B29/62 A ,  B82B3/00 ,  C30B23/08 Z ,  H01L27/10 448 ,  H01L45/00 Z ,  H01L49/00 Z

Fターム (35件)：

4G077AA04 ,  4G077AB01 ,  4G077AB10 ,  4G077BB08 ,  4G077DA03 ,  4G077DA14 ,  4G077DA17 ,  4G077EA01 ,  4G077EA05 ,  4G077EA06 ,  4G077EA07 ,  4G077EB01 ,  4G077EC05 ,  4G077EC07 ,  4G077EG03 ,  4G077EG25 ,  4G077EH06 ,  4G077HA01 ,  4G077HA06 ,  4G077SA02 ,  4G077SA04 ,  4G077SA07 ,  4G077SA08 ,  4G077SA11 ,  4G077SA12 ,  4G077SB03 ,  5F083FZ10 ,  5F083GA27 ,  5F083GA29 ,  5F083HA08 ,  5F083JA38 ,  5F083JA60 ,  5F083PR22 ,  5F083PR33 ,  5F083ZA20

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 二酸化バナジウム薄膜製造装置、二酸化バナジウム薄膜製造方法、スイッチング素子製造方法、およびスイッチング素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-049147   出願人：学校法人東海大学
• 金属絶縁体相転移スイッチングトランジスタ及びその製造方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2006-536447   出願人：韓國電子通信研究院