特許
J-GLOBAL ID:201103018207155306
読み出し専用メモリ
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (12件):
前田 弘
, 小山 廣毅
, 竹内 宏
, 嶋田 高久
, 竹内 祐二
, 今江 克実
, 藤田 篤史
, 二宮 克也
, 原田 智雄
, 井関 勝守
, 関 啓
, 杉浦 靖也
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-217178
公開番号(公開出願番号):特開2003-030997
特許番号:特許第3734726号
出願日: 2001年07月17日
公開日(公表日): 2003年01月31日
請求項(抜粋):
【請求項1】 複数のビット線を有し、上記ビット線にあらかじめ電荷を保持させた後、上記ビット線に接続されワード線により選択されたスイッチング素子によって上記保持された電荷を放電させることにより、上記ビット線に接続された上記スイッチング素子の有無に応じたデータを読み出すように構成された読み出し専用メモリにおいて、
上記ワード線により上記スイッチング素子が選択される際に上記ビット線に電流を供給する電流供給回路を上記各ビット線毎に備えるとともに、
上記電流供給回路における電流供給能力が、上記ビット線に接続される上記スイッチング素子の数が増えるに従って増大するように設定されていることを特徴とする読み出し専用メモリ。
IPC (1件):
FI (1件):
引用特許:
出願人引用 (4件)
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特開昭61-131297
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半導体メモリ装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平9-326435
出願人:東芝マイクロエレクトロニクス株式会社, 株式会社東芝
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半導体記憶装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平5-301375
出願人:日本電気株式会社
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