半導体メモリ装置

発明者：
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：佐藤一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-326435
公開番号（公開出願番号）：特開平11-162187
出願日： 1997年11月27日
公開日（公表日）： 1999年06月18日
要約：

【要約】【課題】メモリセルのハイレベル出力時の動作マージンを広げる。また、カップリングノイズによるセンスアンプ出力の電圧低下を迅速に補償する。【解決手段】本発明の半導体メモリ装置は、本セル回路11とダミー回路12とを備える。電源電圧Vccがしきい値電圧よりも高くなると、本セル回路11内のビット線BLの電圧が下がり始め、それに応じて、本セル回路11と同様の回路で構成されるダミー回路12内のビット線DBLの電圧も下がり始める。また、ダミー回路12内のトランジスタQ2を流れる電流I1も増加し、本セル回路11のセンス回路4に接続されるダミー回路12内のトランジスタQ3を流れる電流I2も増加し、センスアンプ4の出力電圧が引き上げられる。これにより、電源電圧を高くしても、メモリセルのハイレベル出力時のセンスアンプ出力電圧レベルが低下しなくなる。

請求項（抜粋）：

複数のメモリセルで構成されるセルブロックと、前記セルブロック内のメモリセルの読み出しを制御するセル選択部と、前記セル選択部の出力電圧を増幅するセンスアンプと、を備えた半導体メモリ装置において、1つ以上のメモリセルで構成されるダミーセルブロックと、前記ダミーセルブロック内のメモリセルの読み出しを制御するダミーセル選択部と、前記ダミーセルブロックを流れる電流に応じた電圧を出力するダミーセンスアンプと、を備え、前記ダミーセンスアンプの出力電圧に応じて前記センスアンプの出力電圧を制御することを特徴とする半導体メモリ装置。

引用特許：

出願人引用 (2件)

読み出し専用記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-003144 出願人：株式会社東芝, 東芝マイクロエレクトロニクス株式会社
半導体メモリ
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-129335 出願人：株式会社東芝, 東芝マイクロエレクトロニクス株式会社

審査官引用 (2件)

読み出し専用記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-003144 出願人：株式会社東芝, 東芝マイクロエレクトロニクス株式会社
半導体メモリ
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-129335 出願人：株式会社東芝, 東芝マイクロエレクトロニクス株式会社

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