特許
J-GLOBAL ID:201103018341911443
薄膜サーミスタ素子および薄膜サーミスタ素子の製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
大前 要
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-156626
公開番号(公開出願番号):特開2000-348904
特許番号:特許第4279400号
出願日: 1999年06月03日
公開日(公表日): 2000年12月15日
請求項(抜粋):
【請求項1】 サーミスタ薄膜と、上記サーミスタ薄膜に設けられた1対の電極とを有する薄膜サーミスタ素子であって、
上記サーミスタ薄膜が、ビックスバイト型結晶構造を有しているMn-Co-Ni複合酸化物、Mn-Co複合酸化物、Mn-Ni複合酸化物、Mn-Co-Ni-Fe複合酸化物、Mn-Co-Ni-Al複合酸化物、Mn-Co-Ni-Cr複合酸化物、Mn-Co-Cu複合酸化物、またはMn-Co-Ni複合酸化物からなる、薄膜サーミスタ素子。
IPC (1件):
FI (1件):
引用特許:
審査官引用 (2件)
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特開平2-179866
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薄膜サーミスタ
公報種別:公開公報
出願番号:特願平9-074418
出願人:株式会社芝浦電子
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