特許

J-GLOBAL ID：201103018640764899

イオン源およびそのための蒸発器

発明者： トーマス ネイル ホースキー
出願人/特許権者： アクセリス テクノロジーズ インコーポレーテッド
代理人 (1件)： 萼 経夫
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-112124
公開番号（公開出願番号）：特開2000-030620
特許番号：特許第4478841号
出願日： 1999年04月20日
公開日（公表日）： 2000年01月28日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 (a) 昇華すべきイオン源材料(68)を受入れ、かつこのイオン源材料を昇華するためのキャビティ(66)を有する昇華器(52)と、 (b) 前記昇華器(52)をイオン室(58)に接続するための供給チューブ(62)と、 (c) 前記昇華器(52)と前記供給チューブ(62)の少なくとも一部分を加熱するための加熱媒体(70)と、 (d) 前記加熱媒体(70)の温度を制御する制御装置と、 (e) 前記昇華器から離れて配置されかつ昇華されたイオン源材料をイオン化するためのイオン室(58)とを含み、 前記供給チューブ(62)は、シース(90)によって取り囲まれ、このシース内を通って、前記加熱媒体(70)が循環しており、 前記イオン源材料は、蒸気圧が10-2〜103 トルの範囲内で、昇華温度が20〜150°Cの範囲にある固体分子であることを特徴とする、イオン注入装置のイオン源。

IPC (5件)：

H01J 27/02 ( 200 6.01) ,  C23C 14/48 ( 200 6.01) ,  H01J 37/08 ( 200 6.01) ,  H01J 37/317 ( 200 6.01) ,  H01L 21/265 ( 200 6.01)

FI (5件)：

H01J 27/02 ,  C23C 14/48 Z ,  H01J 37/08 ,  H01J 37/317 Z ,  H01L 21/265 603 A

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 特公平6-016385
  
• 薄膜気相成長装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-153944   出願人：株式会社荏原製作所
• 特開平1-225117
  
• 特開平4-115520
  

審査官引用 (5件)

• 特公平6-016385
  
• 特公平6-016385
  
• 薄膜気相成長装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-153944   出願人：株式会社荏原製作所
• 特開平1-225117
  
• 特開平4-115520