特許

J-GLOBAL ID：201103018679572547

半導体装置の製造方法

発明者： 後藤 啓郎
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 加藤 朝道
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-018290
公開番号（公開出願番号）：特開2000-216268
特許番号：特許第3189819号
出願日： 1999年01月27日
公開日（公表日）： 2000年08月04日
請求項（抜粋）：

【請求項1】薄膜ゲート酸化膜を有するトランジスタと厚膜ゲート酸化膜を有するトランジスタとROMコードトランジスタとを含む複数種のMOSトランジスタからなる半導体装置の製造方法において、前記ROMコードトランジスタのチャネル表面に反転層を形成するためのイオン注入と、前記薄膜ゲート酸化膜を有するトランジスタのしきい値電圧を調整するためのイオン注入とを同一工程にて行う、ことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (6件)：

H01L 21/8246 ,  H01L 21/266 ,  H01L 21/8238 ,  H01L 27/092 ,  H01L 27/10 461 ,  H01L 27/112

FI (4件)：

H01L 27/10 433 ,  H01L 27/10 461 ,  H01L 21/265 M ,  H01L 27/08 321 K

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平2-113575
  
• 特開平3-021068
  
• 入力バッファ回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-121522   出願人：日本電気株式会社