特許

J-GLOBAL ID：201103018955970551

半導体加速度センサの製造方法

発明者： 齊藤 宏 ,  赤井 澄夫
出願人/特許権者： 松下電工株式会社
代理人 (1件)： 西川 惠清 (外1名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-116451
公開番号（公開出願番号）：特開2000-304765
特許番号：特許第3531523号
出願日： 1999年04月23日
公開日（公表日）： 2000年11月02日
請求項（抜粋）：

【請求項1】重り部と、一端が重り部に一体的に連結された弾性を有する撓み部と、撓み部の他端部が一体的に連結され撓み部を介して重り部を揺動自在に支持する支持部とが半導体基板を加工して形成され、前記撓み部にピエゾ抵抗が形成されたセンサチップと、センサチップの両面にそれぞれ接合され、重り部の移動範囲を規制する第1及び第2のキャップとを備え、重り部が支持部に片持ち支持された半導体加速度センサの製造方法において、半導体基板をエッチングして重り部と撓み部と支持部とを形成し、重り部を支持部に仮固定する仮固定部を重り部の外周と支持部との間に少なくとも1個形成し、第1及び第2のキャップと対向する重り部の面にそれぞれ磁性体薄膜を形成した後、第1及び第2のキャップを半導体基板の両面に接合し、少なくとも第1及び第2のキャップを半導体基板の両面に接合した後に厚み方向における両側から両磁性体薄膜を磁力で交互に吸引して仮固定部を切断し、重り部を揺動自在とすることを特徴とする半導体加速度センサの製造方法。

IPC (2件)：

G01P 15/12 ,  H01L 29/84

FI (2件)：

G01P 15/12 ,  H01L 29/84 A

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平4-258175
  
• 半導体センサ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-142499   出願人：日本精機株式会社
• 特開昭64-022032
  
• 特開昭63-085461