特許
J-GLOBAL ID:201103019060433425

電圧制御自励局部発振ミクサ、位相同期回路、およびこれらを用いた送信機

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 大岩 増雄 (外3名)
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-287135
公開番号(公開出願番号):特開2001-111351
特許番号:特許第3502581号
出願日: 1999年10月07日
公開日(公表日): 2001年04月20日
請求項(抜粋):
【請求項1】 トランジスタ、FET、あるいはHEMTなどの半導体素子、この半導体素子のコレクタ端子あるいはドレイン端子に一方の端子が接続されたキャパシタと、このキャパシタの他方の端子とシャント接続されたインダクタと、このインダクタと一方の端子が接続されたキャパシタとからなるハイパスフィルタ、このハイパスフィルタに接続された無線周波数端子、上記半導体素子のベース端子あるいはゲート端子に一方の端子が接続されたインダクタと、このインダクタの他方の端子とシャント接続されたキャパシタと、このキャパシタと一方の端子が接続されたインダクタとからなるローパスフィルタ、このローパスフィルタの他方の端子に接続された中間周波数端子、上記半導体素子のエミッタ端子あるいはソース端子に設けられ、片端が接地されたインダクタとキャパシタとからなる直列共振回路、上記半導体素子のエミッタ端子あるいはソース端子に、上記直列共振回路と並列に一方の接続点が接続されたインダクタとキャパシタからなる並列共振回路、この並列共振回路の他方の接続点に接続されたインダクタ、このインダクタの他方の端子とシャント接続されたインダクタ、このインダクタの接地されていない方の端子と一方の端子が接続されたキャパシタ、このキャパシタの他方の端子とカソードが接続された可変容量ダイオード、この可変容量ダイオードのカソード端子と接続されたインダクタなどにより構成されるチョーク回路、このチョーク回路を介して上記可変容量ダイオードにバイアス電圧を印加するバイアス端子を備えたことを特徴とする電圧制御自励局部発振ミクサ。
IPC (3件):
H03D 7/12 ,  H03L 7/00 ,  H04B 1/26
FI (3件):
H03D 7/12 A ,  H03L 7/00 A ,  H04B 1/26 B
引用特許:
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (2件)
  • 特開昭53-120217
  • 特開昭59-176909

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