プラズマ処理装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高山宏志
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-141209
公開番号（公開出願番号）：特開2000-331996
特許番号：特許第4467667号
出願日： 1999年05月21日
公開日（公表日）： 2000年11月30日
請求項（抜粋）：

【請求項1】被処理基板が収容されるチャンバーと、チャンバー内に相対向するように設けられた第1および第2の電極と、前記第1の電極に高周波を印加する高周波印加手段と、前記第1の電極の前記第2の電極に対向する面と反対側の面において、その中心から離隔した位置に前記高周波印加手段から高周波電力を給電する給電棒と、一端が第1の電極に接続され、かつ他端が接地された状態で配置され、前記第1の電極に給電される高周波電力の電圧および電流の位相を調整する位相調整手段と、前記チャンバー内を所定の減圧状態に維持する排気手段と、前記チャンバー内に処理ガスを導入する処理ガス導入手段とを具備し、前記位相調整手段は、前記第1の電極の前記第2の電極に対向する面と反対側の面の中心を挟んで、前記給電棒の給電位置と反対側の部分に設けられたLC回路を有し、前記第1または第2の電極に被処理基板を支持させた状態で、前記第1および第2の電極間に高周波電界を形成することにより処理ガスのプラズマを形成し、このプラズマにより被処理基板にプラズマ処理を施すことを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (5件)：

H01L 21/3065 ( 200 6.01) , B01J 19/08 ( 200 6.01) , C23C 16/505 ( 200 6.01) , H01L 21/205 ( 200 6.01) , H05H 1/46 ( 200 6.01)

FI (5件)：

H01L 21/302 101 B , B01J 19/08 H , C23C 16/505 , H01L 21/205 , H05H 1/46 M

引用特許：

出願人引用 (2件)

プラズマ処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-265448 出願人：株式会社日立製作所
プラズマ処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-279017 出願人：日本真空技術株式会社

審査官引用 (2件)

プラズマ処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-265448 出願人：株式会社日立製作所
プラズマ処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-279017 出願人：日本真空技術株式会社

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