特許

J-GLOBAL ID：201103019619143520

薄膜成長フロー生成システム

発明者： 阿久津 仲男 ,  埜沢 毅 ,  渕上 慶太 ,  大川 和宏 ,  西川 幸江
出願人/特許権者： 大陽日酸株式会社
代理人 (8件)： 志賀 正武 ,  高橋 詔男 ,  渡邊 隆 ,  青山 正和 ,  鈴木 三義 ,  松冨 豊 ,  西 和哉 ,  村山 靖彦
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-361953
公開番号（公開出願番号）：特開2001-176802
特許番号：特許第4260319号
出願日： 1999年12月20日
公開日（公表日）： 2001年06月29日
請求項（抜粋）：

【請求項1】複数の薄膜層を形成して半導体装置を生成する薄膜生成装置へ、この半導体装置の生成における前記薄膜層の成長順及び成長条件のデータを示す成長プログラムを生成/供給する薄膜成長フロー生成システムにおいて、 前記薄膜層を順次成長させる複数の成長ステップからなる成長フローを生成するフロー生成手段と、 表示画面を、少なくとも成長フロー表示領域,第1の成長条件表示領域及び第2の成長条件表示領域に分割し、前記成長フローを成長フロー表示領域に表示させ、この成長フローにおける一の成長ステップの条件を第1の成長条件表示領域に表示させ、前記一の成長ステップと比較する前記成長フローにおける他の成長ステップの条件を第2の成長条件表示領域に表示する画像表示手段と、 前記第1の成長条件表示領域に示される成長条件の項目に従い、前記一の成長ステップの成長条件のデータが入力される入力手段と、 前記入力手段により入力された成長条件を成長プログラムとして、前記薄膜生成装置へ出力する出力手段と を具備することを特徴とする薄膜成長フロー生成システム。

IPC (2件)：

H01L 21/205 ( 200 6.01) ,  H01L 21/02 ( 200 6.01)

FI (2件)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/02 Z

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 半導体製造装置用プロセス対応制御システム
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-016244   出願人：国際電気株式会社