画像形成方法及び画像形成装置

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出願人/特許権者：
代理人 (4件)：中島淳 , 加藤和詳 , 西元勝一 , 福田浩志
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-242229
公開番号（公開出願番号）：特開2000-147874
特許番号：特許第3566594号
出願日： 1999年08月27日
公開日（公表日）： 2000年05月26日
請求項（抜粋）：

【請求項1】電荷発生層及び電荷輸送層を含む感光層が、電荷発生層及び電荷輸送層の順に導電性基体表面に設けられた電子写真感光体に、波長が450nm以下の可干渉光を露光して潜像を形成する潜像形成工程を含む画像形成方法であって、電荷輸送層が下記一般式(I)で表される化合物、一般式(III)で表される化合物、一般式(V)で表される化合物、一般式(X)〜一般式(XIII)で表される構造の1種以上を部分構造として有する化合物、又は一般式(XIV)で表される構造を部分構造として有する化合物を少なくとも1種含み、前記電子写真感光体を露光した場合、電荷輸送層に吸収される吸収フォトン数(NA)と、電荷輸送層で発光する蛍光発光フォトン数(NF)と、が下記式(1)を満たす電子写真感光体を用いることを特徴とする画像形成方法。NF ≦0.75×NA (ただし、NF=NA=0の場合を除く。) (1);;化1::一般式(I)において、R1〜R3は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数1〜5の置換若しくは未置換のアルキル基、炭素数7〜15の置換若しくは未置換のアラルキル基、炭素数6〜15の置換若しくは未置換のアリール基、炭素数1〜5の置換若しくは未置換のエーテル基を示す。a、b及びcは、それぞれ1〜3のいずれかである。;;化2::一般式(III)において、R8〜R11は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数1〜5の置換若しくは未置換のアルキル基、炭素数7〜15の置換若しくは未置換のアラルキル基、炭素数6〜15の置換若しくは未置換のアリール基、炭素数1〜15の置換若しくは未置換のアミノ基を示し、g、h及びiは、それぞれ1〜3のいずれかの整数である。;;化3::一般式(V)において、Ar1は無置換のあるいはアルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、シアノ基若しくはアミノ基で置換されていてもよいアリール基又は複素環基を示し、Ar2及びAr3は、それぞれアルキル基、フェニル基又はナフチル基を示す。;;化4::一般式(X)〜(XIII)において、Aは下記一般式(VIII)又は一般式(IX)を示し、Bは-O-(Y′-O)m′-又はZ′を示し、Y、Y′、Z及びZ′は、それぞれ2価の炭化水素基を示す。m、m′は1〜5の整数であり、nは0又は1である。pは5〜500の整数、qは1〜5000の整数、rは1〜3500の整数をそれぞれ示す。ただし、q+rは5〜5000の整数であり、かつ0.3≦q/(q+r)<1である。;;化5::前記一般式(VIII)及び一般式(IX)においてR17〜R22は、それぞれ水素原子、アルキル基、アルコキシ基、置換アミノ基、ハロゲン原子又は置換若しくは未置換のアリール基を示す。y及びzは、それぞれ0又は1である。Uは置換又は未置換のアリール基を示し、Tは炭素数1〜10の枝分かれしてもよい2価の炭化水素基を示す。;;化6::一般式(XIV)において、R23は水素原子、置換若しくは未置換のアルキル基又は置換若しくは未置換のアリール基を示し、R24及びR25は、それぞれ水素原子、置換若しくは未置換のアルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子又は置換若しくは未置換のアリール基を示す。Y1は置換若しくは未置換のアルキル基、又は置換若しくは未置換のアリーレン基を示す。T1は枝分かれしてもよい2価の脂肪族基を示し、n1は0又は1である。Ar10及びAr11は、それぞれ置換若しくは未置換のアリール基を示す。tは5〜5000の整数である。

IPC (5件)：

G03G 15/04 , B41J 2/44 , G03G 5/06 , G03G 5/07 , G03G 21/14

FI (7件)：

G03G 15/04 , G03G 5/06 311 , G03G 5/06 312 , G03G 5/06 322 , G03G 5/07 103 , B41J 3/00 Q , G03G 21/00 372

引用特許：

審査官引用 (6件)

電子写真装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-051546 出願人：大日本インキ化学工業株式会社
高精細な画像形成装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-177598 出願人：富士ゼロックス株式会社
特開昭61-046959

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