特許

J-GLOBAL ID：201103020058785568

CCP反応容器の平板型ガス導入装置

発明者： スニル ウィクラマナヤカ
出願人/特許権者： キヤノンアネルバ株式会社
代理人 (1件)： 田宮 寛祉
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-139325
公開番号（公開出願番号）：特開2000-331995
特許番号：特許第4307628号
出願日： 1999年05月19日
公開日（公表日）： 2000年11月30日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 上部電極と、複数のガス導入孔を備えたガス導入プレートと、それらの間に設けられたガスリザーバとからなるCCP反応容器の平板型ガス導入装置において、前記上部電極はその下面に配置された複数のマグネットを有し、複数の前記マグネットの各々は、その磁軸が対応する前記ガス導入孔の軸に一致するように、前記ガス導入孔の各々に対応して配置されることを特徴とするCCP反応容器の平板型ガス導入装置。

IPC (3件)：

H01L 21/3065 ( 200 6.01) ,  C23C 16/509 ( 200 6.01) ,  H01L 21/205 ( 200 6.01)

FI (3件)：

H01L 21/302 101 B ,  C23C 16/509 ,  H01L 21/205

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 真空処理装置および真空処理方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-032325   出願人：三菱電機株式会社