特許
J-GLOBAL ID：201103020404191874
熱電変換素子及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
有吉 修一朗
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-115636
公開番号（公開出願番号）：特開2011-243809
出願日： 2010年05月19日
公開日（公表日）： 2011年12月01日
要約：
【課題】高いパワーファクターを実現することが可能な熱電変換素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】その表面にHMDS被膜6が形成されたガラス基板2の上層に、真空蒸着法によって膜厚が6nmのペンタセン薄膜3を成膜し、ペンタセン薄膜3の更に上層に真空蒸着法によって膜厚が2nmのF4-TCNQ薄膜4を成膜する。更に、F4-TCNQ薄膜4の上層には取り出し電極として膜厚が50nmのAu電極5を形成する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
真性有機半導体材料から構成されたキャリア輸送層と、
該キャリア輸送層に隣接して設けられると共に、前記キャリア輸送層に所定のキャリアを供給可能なキャリア発生層とを備える
熱電変換素子。
IPC (4件)：
H01L 35/24
, H01L 35/34
, H02N 11/00
, H01L 51/05
H01L35/24
, H01L35/34
, H02N11/00 A
, H01L29/28 100
