特許
J-GLOBAL ID：201103020424709004
半導体レーザ発光装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
森 幸一
, 吉井 正明
, 山本 孝久
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-083368
公開番号（公開出願番号）：特開2001-274514
特許番号：特許第4543488号
出願日： 2000年03月24日
公開日（公表日）： 2001年10月05日
請求項（抜粋）：
【請求項1】n型クラッド層、活性層およびp型クラッド層を含む、アルミニウム、ガリウム、インジウムおよびホウ素のうちの少なくとも1種の元素を含むIII 族窒化物半導体膜が積層された積層膜を備え、
前記p型クラッド層の上部にリッジ状のストライプが形成され、
前記リッジ状のストライプの両側に電流非注入領域としてAlX Ga1-X N(0.3≦x≦1.0)層が積層され、
前記リッジ状のストライプからなる電流注入領域の電流注入幅Wstは1μm≦Wst≦3μmなる範囲の所定値からなり、
前記電流非注入領域の下における前記積層膜のうちの活性層と前記電流非注入領域との間の前記積層膜の膜厚が0.2μm以下であり、
前記電流注入領域における膜積層方向の有効屈折率n1 と前記電流非注入領域の膜積層方向の有効屈折率n2 との差Δn=n1 -n2 は、0.007以上0.012以下であるインデックスガイド型の半導体レーザ発光装置。
IPC (2件)：
H01S 5/227 ( 200 6.01)
, H01S 5/065 ( 200 6.01)
