透明導電性酸化亜鉛系薄膜製造用のイオンプレーティング用ターゲット、および透明導電性酸化亜鉛系薄膜

発明者： , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (4件)：植木久一 , 菅河忠志 , 伊藤浩彰 , 竹岡明美
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-229875
公開番号（公開出願番号）：特開2011-074479
出願日： 2009年10月01日
公開日（公表日）： 2011年04月14日
要約：

【課題】比抵抗が非常に低く、耐湿熱性試験後の比抵抗の変化率が極めて小さくて耐湿熱性に優れた酸化亜鉛系薄膜製造用のイオンプレーティング用ターゲット及びこれを用いて製造した透明導電性酸化亜鉛系薄膜を提供する。【解決手段】酸化亜鉛にガリウムおよびインジウムを含有させた焼結体からなる透明導電性酸化亜鉛系薄膜製造用のイオンプレーティング用ターゲット及びこれを用いて製造した透明導電性酸化亜鉛系薄膜であって、ガリウム元素とインジウム元素の質量比率(In/Ga)は0.01以上0.6以下、且つ、ウルツ鉱型単一相の結晶構造を有するものであり、透明導電性薄膜は、耐湿熱性を損なう原因となる格子間亜鉛及び亜鉛欠損を減少させ、可視光に対する吸収係数αを小さくし、吸収係数が極小となる波長領域を視感度に有効な500〜600nmにシフトさせたものである。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

酸化亜鉛、ガリウムおよびインジウムを含む焼結体からなる透明導電性酸化亜鉛系薄膜製造用のイオンプレーティング用ターゲットであって、ガリウム元素とインジウム元素の質量比率(In/Ga)は0.01以上0.6以下であり、且つ、ウルツ鉱型単一相の結晶構造を有することを特徴とする透明導電性酸化亜鉛系薄膜製造用のイオンプレーティング用ターゲット。

IPC (5件)：

C23C 14/32 , C23C 14/08 , C04B 35/453 , H01B 5/14 , H01B 1/08

FI (5件)：

C23C14/32 A , C23C14/08 C , C04B35/00 P , H01B5/14 A , H01B1/08

Fターム (29件)：

4G030AA32 , 4G030AA34 , 4G030BA02 , 4G030BA15 , 4G030CA01 , 4G030GA03 , 4G030GA04 , 4G030GA08 , 4G030GA11 , 4G030GA24 , 4G030GA27 , 4K029AA09 , 4K029AA24 , 4K029BA49 , 4K029BB07 , 4K029BC00 , 4K029BC09 , 4K029CA04 , 4K029DB05 , 5G301CA02 , 5G301CA15 , 5G301CA27 , 5G301CA30 , 5G301CD03 , 5G301CE02 , 5G307FA01 , 5G307FB01 , 5G307FC04 , 5G307FC09

引用特許：

審査官引用 (1件)

酸化亜鉛系薄膜製造用のイオンプレーティング用ターゲット
公報種別：公開公報出願番号：特願2008-269691 出願人：ハクスイテック株式会社, 学校法人高知工科大学

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