特許

J-GLOBAL ID：200903048670201056

酸化亜鉛系薄膜製造用のイオンプレーティング用ターゲット

発明者： 千住 晶 ,  黒岩 信幸 ,  山本 泰生 ,  山本 哲也
出願人/特許権者： ハクスイテック株式会社 ,  学校法人高知工科大学
代理人 (5件)： 植木 久一 ,  菅河 忠志 ,  二口 治 ,  伊藤 浩彰 ,  植村 純子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-269691
公開番号（公開出願番号）：特開2009-114538
出願日： 2008年10月20日
公開日（公表日）： 2009年05月28日
要約：

【課題】表面抵抗が低く、酸素を含む雰囲気下で加熱しても加熱前後の表面抵抗の変化率が小さく耐熱性に優れた酸化亜鉛系薄膜製造用のイオンプレーティング用ターゲットを提供する。【解決手段】酸化亜鉛およびインジウムを含む焼結体からなる酸化亜鉛系薄膜製造用のイオンプレーティング用ターゲットであって、焼結体に含まれるインジウム元素の比率は0.003〜30質量%である。焼結体の結晶粒径を走査型電子顕微鏡で観察したとき、平均結晶粒径は0.1〜20μmであることが好ましい。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

酸化亜鉛およびインジウムを含む焼結体からなる酸化亜鉛系薄膜製造用のイオンプレーティング用ターゲットであって、 前記焼結体に含まれるインジウム元素の比率は、0.003〜30質量%であることを特徴とする酸化亜鉛系薄膜製造用のイオンプレーティング用ターゲット。

IPC (4件)：

C23C 14/32 ,  C23C 14/08 ,  C04B 35/453 ,  H01B 5/14

FI (4件)：

C23C14/32 A ,  C23C14/08 C ,  C04B35/00 P ,  H01B5/14 A

Fターム (18件)：

4G030AA32 ,  4G030AA34 ,  4G030BA02 ,  4G030CA04 ,  4G030GA26 ,  4G030GA27 ,  4K029AA09 ,  4K029AA24 ,  4K029BA49 ,  4K029BC09 ,  4K029CA03 ,  4K029DB05 ,  4K029DB08 ,  4K029DB21 ,  4K029DD05 ,  4K029EA01 ,  5G307FB01 ,  5G307FC09

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 酸化亜鉛系透明導電膜の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-251530   出願人：住友重機械工業株式会社, 独立行政法人産業技術総合研究所
• 酸化亜鉛系導電膜製造用のイオンプレーティング用ターゲットとその製法、および酸化亜鉛系導電膜の製法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-246404   出願人：ハクスイテック株式会社, 学校法人高知工科大学
• 酸化亜鉛系導電膜製造用のイオンプレーティング用ターゲットとその製法、および酸化亜鉛系導電膜の製法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-246411   出願人：ハクスイテック株式会社
• 導電性透明基材およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-315075   出願人：出光興産株式会社

審査官引用 (6件)

• 特開平1-201021
  
• ZnO系焼結体
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-062778   出願人：住友金属鉱山株式会社
• タッチパネル用酸化亜鉛系透明導電膜付き基板
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-295891   出願人：筒中プラスチック工業株式会社
• 特開昭61-205619
  
• 特開平2-149459
  
• ZnO系焼結体
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-062777   出願人：住友金属鉱山株式会社