特許
J-GLOBAL ID：201103020955252742

水素発生装置

発明者：
前西 晃

前西 晃 について

, 
向井 裕二

向井 裕二 について


出願人/特許権者：
パナソニック株式会社

パナソニック株式会社 について


代理人 (3件)： 内藤 浩樹 ,  永野 大介 ,  藤井 兼太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-038354
公開番号（公開出願番号）：特開2011-173751
出願日： 2010年02月24日
公開日（公表日）： 2011年09月08日
要約：
【課題】改質触媒部において、加熱用バーナからの熱が改質触媒層に不均一に伝熱すると改質触媒層の温度むらが生じて高温部と低温部ができ、改質触媒層全体が有効に使用されずに水素を生成する効率が悪くなる。また、触媒や触媒を囲う構造体が部分的に高温化し、触媒や構造体の耐久性が悪くなる可能性も生じる。【解決手段】燃料ガスを燃焼させるバーナ3と、バーナ3の外側に位置した第一の円筒状構造体100と第一の円筒状構造体の外側に隣接する第二の円筒状構造体の間に形成される燃焼ガス流路4と、第二の円筒状構造体101の外側に位置する水蒸発部8や改質触媒層9、CO除去触媒層10を有する水素発生装置において、第一の円筒状構造体100の外周面に複数個の突起12を備え、突起12の第一の円筒状構造体100に対する周方向の数が、燃焼ガス流路4の燃焼ガスの流れの上流部が下流部の方より多くなっているものである。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
それぞれ径が異なり中心軸が重なるように配置された多重の円筒状構造体と前記円筒状構造体を加熱するバーナを有し、前記多重の円筒状構造体のうち最も内側に位置する第一の円筒状構造体と前記第一の円筒状構造体の外側に位置する第二の円筒状構造体との間に前記バーナからの燃焼ガスが流れる燃焼ガス流路を形成し、前記第二の円筒状構造体と前記第二の円筒状構造体の外側に位置する第三の円筒状構造体との間に、水蒸気と原料ガスとの混合ガスの供給により水蒸気改質反応を行い水素を含む改質ガスを生成する改質触媒層を備え、前記燃焼ガス流路を流れる前記燃焼ガスの流れ方向と、前記改質触媒層を流れる前記混合ガスと前記改質ガスとの流れる方向とが対向する円筒型の水素発生装置であって、前記燃焼ガス流路の間隔を維持するための突起またはスペーサを、複数、前記第一の円筒状構造体の外周面または前記第二の円筒状構造体の内周面に備え、複数の前記突起またはスペーサの数が、前記燃焼ガス流路を流れる前記燃焼ガスの流れの上流部は下流部より多いことを特徴とする水素発生装置。
IPC (2件)：
C01B 3/38 ,  C01B 3/48
FI (2件)：
C01B3/38 ,  C01B3/48
Fターム (13件)：
4G140EA03 ,  4G140EA06 ,  4G140EA07 ,  4G140EB03 ,  4G140EB14 ,  4G140EB24 ,  4G140EB32 ,  4G140EB42 ,  4G140EB44 ,  4G140EB46 ,  5H026AA06 ,  5H027AA06 ,  5H027BA17
引用特許：
審査官引用 (6件)
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