特許

J-GLOBAL ID：201103020979083283

半導体装置

発明者： 四戸 孝 ,  川口 雄介 ,  八幡 彰博 ,  中村 和敏
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-278255
公開番号（公開出願番号）：特開2001-102577
特許番号：特許第3507732号
出願日： 1999年09月30日
公開日（公表日）： 2001年04月13日
請求項（抜粋）：

【請求項1】第1導電型の不純物が含有された第1の半導体領域と、前記第1の半導体領域と離間して形成され第2導電型の不純物が含有された第2の半導体領域と、前記第1の半導体領域と前記第2の半導体領域との間に設けられ、第1導電型の不純物が含有された第1の半導体層と第2導電型の不純物が含有された第2の半導体層とが前記第1の半導体領域と第2の半導体領域とが対向する方向と交差する方向に交互に繰り返し配置された第3の半導体領域と、を有する半導体装置であって、交互に繰り返し配置された前記第1の半導体層及び第2の半導体層の繰り返し方向のキャリア積分量が、第2の半導体層の方が第1の半導体層よりも大きくなるように構成され、前記第1の半導体領域と前記第2の半導体層との間に前記第1の半導体領域よりも第1導電型の不純物濃度の低い第4の半導体領域が選択的に形成され、前記第1の半導体領域と前記第1の半導体層とが接していることを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 29/78 652 ,  H01L 21/336

FI (5件)：

H01L 29/78 652 H ,  H01L 29/78 652 C ,  H01L 29/78 301 D ,  H01L 29/78 301 X ,  H01L 29/78 658 F

引用特許：

審査官引用 (2件)

• パワーMOSFET
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-076503   出願人：シーメンスアクチエンゲゼルシヤフト
• 高耐圧半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-026997   出願人：三菱電機株式会社