特許

J-GLOBAL ID：201103021234503201

薄膜磁気記録媒体の製造方法

発明者： 石橋 信一 ,  岩間 敏範 ,  寺嶋 鋭二 ,  窪田 正雄 ,  小林 勇治
出願人/特許権者： 富士電機デバイステクノロジー株式会社
代理人 (1件)： 松本 洋一
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-243261
公開番号（公開出願番号）：特開2002-056526
特許番号：特許第4491934号
出願日： 2000年08月10日
公開日（公表日）： 2002年02月22日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 非磁性基体上にドライプロセスにより少なくとも磁気記録層および保護層を順次形成する成膜工程と、前記保護層上に潤滑層を形成する潤滑層形成工程とを具える薄膜磁気記録媒体の製造方法であって、 前記成膜工程と前記潤滑層形成工程との間に、前記保護層の表面にプラズマエッチング処理を施すプラズマエッチング工程を具え、 前記成膜工程から前記プラズマエッチング工程までを真空中で連続して行い、前記プラズマエッチング工程は、保護層を成膜した直後で、基板表面の温度が室温よりも高い状態で行う(ただし、プラズマエッチング時に、加熱手段を用いてさらなる加熱を行なう場合を除く)ことを特徴とする薄膜磁気記録媒体の製造方法。

IPC (5件)：

G11B 5/84 ( 200 6.01) ,  C23C 14/58 ( 200 6.01) ,  C23C 16/56 ( 200 6.01) ,  G11B 5/85 ( 200 6.01) ,  G11B 5/851 ( 200 6.01)

FI (6件)：

G11B 5/84 B ,  C23C 14/58 D ,  C23C 16/56 ,  G11B 5/85 A ,  G11B 5/85 B ,  G11B 5/851

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 磁気記録媒体の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-254284   出願人：花王株式会社
• 磁性体薄膜の加工方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-074319   出願人：株式会社東芝

審査官引用 (1件)

• 磁気記録媒体の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-254284   出願人：花王株式会社