特許

J-GLOBAL ID：201103021502802004

保護機能付き半導体装置

発明者： 野辺 武 ,  秋山 茂夫 ,  古本 憲輝 ,  砂田 卓也
出願人/特許権者： パナソニック電工株式会社
代理人 (1件)： 青山 葆
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-533452
特許番号：特許第4529353号
出願日： 2001年09月27日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 それぞれ、電源と負荷との間に挿入され、第1主端子と第2主端子との間を通過する電流が、制御端子と第2主端子との間に印加される制御電圧に応じて制御される2つの半導体装置コンポーネントを有し、2つの半導体装置コンポーネントの第2主端子同士が共通接続され、かつ制御端子同士が共通接続されている保護機能付き半導体装置であって、 上記各半導体装置コンポーネントは、 第1主端子と第2主端子との間に挿入され、上記制御電圧に応じてオン・オフする電圧駆動型の主トランジスタ、 主トランジスタの制御電極と基準電極との間に挿入された、電圧駆動型の保護用トランジスタ、 第1主端子と第2主端子との間に挿入され、異常を検出すると保護用トランジスタをオン・オフさせることにより主トランジスタを繰り返しオン・オフさせて主トランジスタを保護する保護回路、 第1主端子と保護回路との間に挿入され、上記制御電圧に応じてオン・オフする電圧駆動型の検出用トランジスタ、 制御端子と検出用トランジスタの制御電極との接続点と、保護用トランジスタとの間に挿入されたインピーダンス素子、及び 保護用トランジスタの基準電極と保護回路との接続点と、第2主端子との間に、第2主端子から保護用トランジスタ及び保護回路に電流が流れるのを阻止する極性で挿入された逆流防止用ダイオードを含んでいる半導体装置。

IPC (7件)：

H01L 21/822 ( 200 6.01) ,  H01L 27/04 ( 200 6.01) ,  H01L 21/8234 ( 200 6.01) ,  H01L 27/088 ( 200 6.01) ,  H01L 27/06 ( 200 6.01) ,  H01L 29/78 ( 200 6.01) ,  H03K 17/00 ( 200 6.01)

FI (7件)：

H01L 27/04 H ,  H01L 27/08 102 F ,  H01L 27/04 M ,  H01L 27/06 311 C ,  H01L 29/78 657 F ,  H01L 29/78 657 G ,  H03K 17/00 B

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 絶縁ゲート型半導体装置およびそれを用いた駆動回路装置ならびに電子システム
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-204364   出願人：株式会社日立製作所, 日立超エル・エス・アイ・エンジニアリング株式会社