特許

J-GLOBAL ID：201103021515322982

相補型IGBTの実装構造

発明者： 丹波 昭浩 ,  山田 一二
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 作田 康夫
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-258403
公開番号（公開出願番号）：特開2001-085612
特許番号：特許第3525823号
出願日： 1999年09月13日
公開日（公表日）： 2001年03月30日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 電源と出力間、出力とグランド間に接続され、電流をスイッチングする第一、第二のパワー半導体素子とを備えたパワー回路部と、該パワー回路部を制御する制御回路部と、前記パワー回路部及び制御回路部に接続される外部入出力端子と、を備えたパワー半導体モジュールにおいて、前記第一、二のパワー半導体素子は、素子を構成する各不純物層の極性がお互いに反対の相補型デバイスであり、お互いのエミッタ、ないしは、ソースが出力に接続され、前記第一、二のパワー半導体素子の搭載パタンが各々電源配線、グランド配線となり、該電源配線、グランド配線は、前記第一、二のパワー半導体素子のエミッタ、ないしは、ソースを接続する領域を対称の中心として、対称的に配置されることを特徴とするパワー半導体モジュール。

IPC (2件)：

H01L 25/07 ,  H01L 25/18

FI (1件)：

H01L 25/04 C

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 特開平1-112764
  
• 単一キャパシタを使用するハーフブリッジターンオフスルーイング速度コントローラ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-142424   出願人：エッセヂエッセ-トムソンマイクロエレクトロニクスエッセ・エッレ・エッレ
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-324012   出願人：富士電機株式会社
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-254811   出願人：株式会社東芝