InP系分布帰還型半導体レーザの製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：大垣孝
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-021227
公開番号（公開出願番号）：特開2000-223771
特許番号：特許第3464161号
出願日： 1999年01月29日
公開日（公表日）： 2000年08月11日
請求項（抜粋）：

【請求項1】水素雰囲気中、又は不活性ガス雰囲気中、Pを含み、かつ回折格子が形成されている下地の温度を350°Cに昇温して、安定させる工程と、(C2 H5 )3 Ga又は(CH3 )3 Gaのいずれかである有機金属化合物、及びAsH3を、前記回折格子の表面に供給して、有機金属気相成長法により、熱変形防止層を形成する工程と、前記有機金属化合物の供給を停止し、水素雰囲気中又は不活性ガス雰囲気中、AsH3の存在下で、前記熱変形防止層の表面上に形成される上側層の成膜温度まで昇温して、安定させる工程と、前記上側層の原料を前記熱変形防止層の表面上に供給して成膜を行う工程とを含むことを特徴とするInP系分布帰還型半導体レーザの製造方法。

IPC (1件)：