特許

J-GLOBAL ID：201103022500546414

絶縁分離型半導体装置の製造方法

発明者： 北村 康宏
出願人/特許権者： 株式会社デンソー
代理人 (1件)： 佐藤 強
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-141708
公開番号（公開出願番号）：特開2002-343855
特許番号：特許第4608805号
出願日： 2001年05月11日
公開日（公表日）： 2002年11月29日
請求項（抜粋）：

【請求項1】支持基板上に当該支持基板と電気的に絶縁した状態で形成された半導体層に絶縁機能部分に達する絶縁分離トレンチにより区分された複数の素子形成領域を設けて成る絶縁分離型半導体装置の製造方法において、 前記半導体層上に、絶縁膜、酸化半導体材料に対しエッチング選択性を有する材料より成るストッパ膜、酸化半導体膜を順次成膜すると共に、それらの膜に前記絶縁分離トレンチの形成位置に対応した開口部を形成することにより層構造のトレンチエッチングマスクを形成するマスク形成工程と、 前記半導体層に対し、前記トレンチエッチングマスクを使用した異方性ドライエッチングを行うことにより、前記開口部と対応した位置に前記絶縁機能部分に達するトレンチを形成するトレンチエッチング工程と、 前記トレンチの側壁に熱酸化により酸化半導体膜を形成して当該トレンチ内と前記半導体層との間を絶縁分離する側壁酸化工程と、 前記トレンチエッチングマスクの酸化半導体膜を前記ストッパ膜をストッパとした異方性ドライエッチングにより除去するマスク除去工程と、 前記ストッパ膜を除去するストッパ膜除去工程と、 前記絶縁膜上にポリシリコンを堆積して前記絶縁分離トレンチを当該ポリシリコンにより埋め戻すトレンチ埋め戻し工程と、 前記絶縁膜上のポリシリコンを前記絶縁分離トレンチ内のポリシリコンと繋がった形状にパターニングしてポリシリコン電極膜を形成する電極膜形成工程と、 前記ポリシリコン電極膜を覆う層間絶縁膜を形成すると共に、その層間絶縁膜に形成したコンタクトホールを通じて当該ポリシリコン電極膜と電気的に接続されたトレンチ用電極を形成するトレンチ用電極形成工程とを含み、 前記マスク除去工程において、底部が前記絶縁機能部分まで到達していない前記トレンチの底部に存在する酸化シリコン膜が、異方性ドライエッチングによって除去され、 前記トレンチ用電極形成工程の後に、前記素子形成領域、前記トレンチの周囲に形成されているフィールド領域、および前記トレンチに埋め込まれた導電性充填物に接続された前記トレンチ用電極の間に、検査用電圧を印加し、前記絶縁分離トレンチの欠陥を検出することを特徴とする絶縁分離型半導体装置の製造方法。

IPC (8件)：

H01L 21/76 ( 200 6.01) ,  H01L 21/762 ( 200 6.01) ,  H01L 27/082 ( 200 6.01) ,  H01L 21/8222 ( 200 6.01) ,  H01L 21/822 ( 200 6.01) ,  H01L 27/04 ( 200 6.01) ,  H01L 21/331 ( 200 6.01) ,  H01L 29/732 ( 200 6.01)

FI (5件)：

H01L 21/76 L ,  H01L 21/76 D ,  H01L 27/08 101 B ,  H01L 27/04 T ,  H01L 29/72 P

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 半導体集積回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-334179   出願人：日本電装株式会社
• 特開平3-148852
  

審査官引用 (2件)

• 半導体集積回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-334179   出願人：日本電装株式会社
• 特開平3-148852