酸化膜の角で生じるキャリヤのディープレベル捕獲を利用した不揮発性メモリ

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：杉村興作
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-136710
公開番号（公開出願番号）：特開2000-332136
特許番号：特許第3643864号
出願日： 1999年05月18日
公開日（公表日）： 2000年11月30日
請求項（抜粋）：

【請求項1】少なくとも1つの角構造を有し、前記角構造を挟んでソース電極との接合部とドレイン電極との接合部とが形成されたシリコン半導体基板上に、前記シリコン半導体基板の角構造にそった角構造を有するゲート酸化膜が形成され、前記ゲート酸化膜上にゲートが形成された不揮発性メモリであって、前記ゲート酸化膜内に電気的に注入され、前記ゲート酸化膜の角構造にディープレベル捕獲されるキャリヤによるしきい値電圧の変化によって情報を記憶するように構成し、前記ゲート酸化膜の膜厚が10ナノメートル以上であることを特徴とする不揮発性メモリ。

IPC (4件)：