特許

J-GLOBAL ID：201103022842876050

超伝導体構造、その製造方法、及び電子素子

発明者： 生田 博志 ,  竹田 美和 ,  宇治原 徹 ,  田渕 雅夫 ,  竹中 康司 ,  川口 昴彦 ,  上村 彦樹 ,  大野 俊也
出願人/特許権者： 国立大学法人名古屋大学
代理人 (1件)： 名古屋国際特許業務法人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-227635
公開番号（公開出願番号）：特開2011-073926
出願日： 2009年09月30日
公開日（公表日）： 2011年04月14日
要約：

【課題】鉄砒素系超伝導体の高品質な超伝導薄膜を備えた超伝導体構造、その製造方法、及び電子素子を提供すること。【解決手段】基板と、前記基板上に形成され、III-V族半導体から成るバッファ層と、前記バッファ層上に形成され、下記式(1)で表される組成を有する超伝導薄膜と、を含み、前記超伝導薄膜におけるAs-As間隔は、前記III-V族半導体におけるV族原子間距離の約1倍であることを特徴とする超伝導体構造。式(1)LnFeAsO1-pFq(式(1)において、Lnは1種以上のランタノイド元素であり、0<p<1、0≦q<1)【選択図】図3

請求項（抜粋）：

基板と、 前記基板上に形成され、III-V族半導体から成るバッファ層と、 前記バッファ層上に形成され、下記式(1)で表される組成を有する超伝導薄膜と、を含み、 前記超伝導薄膜におけるAs-As間隔は、前記III-V族半導体におけるV族原子間距離の約1倍であることを特徴とする超伝導体構造。 式(1) LnFeAsO1-pFq (式(1)において、Lnは1種以上のランタノイド元素であり、0<p<1、0≦q<1)

IPC (6件)：

C01G 1/00 ,  H01L 39/24 ,  H01L 29/80 ,  C01G 49/00 ,  C01B 25/08 ,  C23C 14/08

FI (6件)：

C01G1/00 S ,  H01L39/24 B ,  H01L29/80 A ,  C01G49/00 D ,  C01B25/08 Z ,  C23C14/08 L

Fターム (37件)：

4G002AA09 ,  4G002AB01 ,  4G002AD04 ,  4G002AE05 ,  4G047JA03 ,  4G047JC13 ,  4G047JC16 ,  4G047KE02 ,  4G047KE03 ,  4G047KE04 ,  4G047LB02 ,  4K029AA04 ,  4K029AA24 ,  4K029BA43 ,  4K029BC04 ,  4K029CA03 ,  4K029DA08 ,  4M113AA06 ,  4M113AA16 ,  4M113AA23 ,  4M113AB11 ,  4M113AD01 ,  4M113AD36 ,  4M113BA04 ,  4M113BA14 ,  4M113BA18 ,  4M113CA34 ,  5F102FB10 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GJ05 ,  5F102GK05 ,  5F102GL10 ,  5F102GQ01 ,  5F102GV02 ,  5F102HC01 ,  5F102HC11