特許
J-GLOBAL ID:201103022964741198
ポリシランを用いた偏光発光EL素子及びその製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-104541
公開番号(公開出願番号):特開2000-294374
特許番号:特許第3177640号
出願日: 1999年04月12日
公開日(公表日): 2000年10月20日
請求項(抜粋):
【請求項1】 透明陽極板上に溶剤不溶性のポリシランを用いて、メカニカルデポジション法により配向させた第一のポリシラン膜を設け、さらに第一のポリシラン膜の上に、溶剤可溶性の第二のポリシランを用いて、エピタキシャル成長により配向させた第二のポリシラン膜を設け、第二のポリシラン膜上に陰極板を設けたEL素子。
IPC (4件):
H05B 33/10
, C09K 11/06 680
, H05B 33/14
, H05B 33/22
FI (4件):
H05B 33/10
, C09K 11/06 680
, H05B 33/14 B
, H05B 33/22 D
引用特許:
審査官引用 (7件)
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光機能素子
公報種別:公開公報
出願番号:特願平5-138422
出願人:株式会社東芝
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特許第2535780号
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近紫外・紫外波長帯発光素子
公報種別:公開公報
出願番号:特願平8-030119
出願人:日本電信電話株式会社
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