特許
J-GLOBAL ID:200903040585426102

近紫外・紫外波長帯発光素子

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 中本 宏 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平8-030119
公開番号(公開出願番号):特開平9-202878
出願日: 1996年01月25日
公開日(公表日): 1997年08月05日
要約:
【要約】【課題】 近紫外、又は紫外波長帯の発光を呈する小型発光素子を提供する。【解決手段】 少なくとも正孔注入電極、電子注入電極、及びこれらの電極間に形成された発光層から構成される発光素子において、発光層がポリシランで形成されている近紫外・紫外波長帯発光素子。ポリシランの例としては、一般式-〔Si(R1 )(R2 )〕n -(式中nは1以上の整数、R1 R2 は同一又は異なり、アルキル基、アリール基、シクロアルキル基又は置換アリール基を示す)で表される化合物がある。
請求項(抜粋):
少なくとも正孔注入電極、電子注入電極、及びこれらの電極間に形成された発光層から構成される発光素子において、発光層がポリシランで形成されていることを特徴とする近紫外・紫外波長帯発光素子。
IPC (2件):
C09K 11/06 ,  H05B 33/14
FI (2件):
C09K 11/06 Z ,  H05B 33/14
引用特許:
審査官引用 (8件)
  • 含フッ素ポリシランおよびその製造方法
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平5-259290   出願人:東亞合成株式会社
  • 特開平3-197585
  • 特開平3-197584
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