特許

J-GLOBAL ID：201103022981753434

マグネシウム-ケイ素複合材料及びその製造方法、並びに該複合材料を用いた熱電変換材料、熱電変換素子、及び熱電変換モジュール

発明者： 飯田 努 ,  本多 康彦 ,  福島 直樹 ,  坂本 達也 ,  水戸 洋彦 ,  難波 宏邦 ,  田口 豊
出願人/特許権者： 学校法人東京理科大学 ,  昭和KDE株式会社 ,  ユニオンマテリアル株式会社
代理人 (1件)： 正林 真之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-149506
公開番号（公開出願番号）：特開2011-029632
出願日： 2010年06月30日
公開日（公表日）： 2011年02月10日
要約：

【課題】優れた熱電変換性能を有するマグネシウム-ケイ素複合材料を提供する。【解決手段】実質的にドーパントを含まない場合、マグネシウム-ケイ素複合材料は、Mgの含有量が原子量比で66.17〜66.77at%であり、Siの含有量が原子量比で33.23〜33.83at%である組成原料を、開口部とこの開口部を覆う蓋部とを有し、上記開口部の辺縁における上記蓋部への接触面と、上記蓋部における上記開口部への接触面とが共に研磨処理された耐熱容器中で加熱溶融する工程を有する製造方法により製造される。一方、ドーパントを含む場合、マグネシウム-ケイ素複合材料は、Mgの含有量とSiの含有量との比が原子量比で66.17:33.83〜66.77:33.23であり、ドーパントの含有量が原子量比で0.10〜2.0at%である組成原料により製造される。【選択図】図10

請求項（抜粋）：

866Kにおける無次元性能指数が0.665以上であり、実質的にドーパントを含まないマグネシウム-ケイ素複合材料。

IPC (6件)：

H01L 35/14 ,  H01L 35/34 ,  C22C 23/00 ,  F27B 14/04 ,  C01B 33/06 ,  C01B 3/00

FI (6件)：

H01L35/14 ,  H01L35/34 ,  C22C23/00 ,  F27B14/04 ,  C01B33/06 ,  C01B3/00 B

Fターム (20件)：

4G072AA06 ,  4G072AA20 ,  4G072HH01 ,  4G072HH02 ,  4G072JJ09 ,  4G072MM01 ,  4G072MM38 ,  4G072TT30 ,  4G072UU30 ,  4G140AA46 ,  4K046BA05 ,  4K046CA06 ,  4K046CB05 ,  4K046CC01 ,  4K046CC03 ,  5H050BA16 ,  5H050CB11 ,  5H050GA02 ,  5H050HA02 ,  5H050HA13

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 熱電変換モジュール及びそれを用いた発電装置及び冷却装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-023182   出願人：京セラ株式会社
• 熱電材料及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-311740   出願人：独立行政法人産業技術総合研究所

引用文献：

審査官引用 (2件)

• Thermoelectric Properties of Sb-Doped Sintered Mg2Si Fabricated Using Commercial Polycrystalline Sou
• Thermoelectric Figure of Merit of Impurity Doped And Hot-pressed Magnesium Silicide Elements