特許
J-GLOBAL ID：200903038506812189
熱電材料及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
富崎 元成
, 円城寺 貞夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-311740
公開番号（公開出願番号）：特開2006-128235
出願日： 2004年10月27日
公開日（公表日）： 2006年05月18日
要約：
【課題】 大気圧下での溶融法と放電プラズマ焼結法に着目し、製造工程の安全性の向上及び製造コストの削減を図ることができるとともに、性能指数の優れたMg2Si基熱電半導体から成る熱電材料及びその製造方法を提供する。 【解決手段】 大気側に緩衝キャビティ6を有する黒鉛容器1の溶解室7内に、塊状のMg及びSiを収容するとともに、ドーパント元素としてAl及びZnを複合添加し、緩衝キャビティ6内に不活性ガスを置換した状態で、Mg2Si化合物の融点以上でMgの沸点以下の温度範囲に一定時間保持することにより化合物融液若しくは合金融液を生成させ、その融液を冷却してインゴットを作製し、インゴットを粉砕して作製したMg2Si原料粉末を放電プラズマ焼結法を用いて焼結する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
Mg-Si基化合物に、ドーパント元素としてAl及びZnを添加することにより形成されたN型熱電半導体からなることを特徴とする熱電材料。
IPC (5件)：
H01L 35/14
, B22F 3/105
, B22F 9/04
, C22C 23/00
, H01L 35/34
H01L35/14
, B22F3/105
, B22F9/04 C
, C22C23/00
, H01L35/34
4K017AA04
, 4K017BA10
, 4K017BB01
, 4K017BB16
, 4K017BB18
, 4K017DA01
, 4K017EA03
, 4K018AA13
, 4K018DA21
, 4K018KA32
