特許
J-GLOBAL ID：201103023308730216
p型III族窒化物半導体の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
西 義之
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-266361
公開番号（公開出願番号）：特開2001-094149
特許番号：特許第4009043号
出願日： 1999年09月20日
公開日（公表日）： 2001年04月06日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 基板上に設けたバッファ層上に有機金属化合物気相成長法により原料ガスとして少なくともガリウム源のガスと窒素源のガスとp型不純物を含むガスを用いてGaN系半導体を成長させる方法において、p型不純物を含むガスとしてMgを含むガスを用い、これらの原料のキャリアガスとして窒素ガスを用いるとともに、さらにインジウム化合物を同時に供給することによってインジウム源のガスをインジウム源ガスのモル比がガリウム源ガス1に対して0.001以上で1以下となる量とし、成長温度を950〜1050°Cの範囲において室温で測定した正孔キャリア濃度1×1017cm-3以上が得られる温度とすることによりGaN層にInを固溶させて、1×1017〜5×1020cm-3の固溶したInを含むMgをドープしたAl1-x-y Gay Inx N(ただし、0≦y<1、xは1×1017〜5×1020cm-3に相当するモル分率、0<x+y≦1)膜であって、ドープされたMgは1×1019cm3以上であり、アニールされていないで室温で測定した正孔キャリア濃度が1×1017cm-3以上であるp型III 族窒化物半導体を製造することを特徴とするp型III 族窒化物半導体の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 33/00 ( 200 6.01)
, H01L 21/205 ( 200 6.01)
, H01S 5/323 ( 200 6.01)
H01L 33/00 C
, H01L 21/205
, H01S 5/323
