特許
J-GLOBAL ID：201103023716991168
ヘテロ構造半導体多層薄膜の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男 (外1名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-288918
公開番号（公開出願番号）：特開2001-110725
特許番号：特許第3273037号
出願日： 1999年10月12日
公開日（公表日）： 2001年04月20日
請求項（抜粋）：
【請求項1】単結晶半導体基板上にそれとは組成の異なる異種単結晶半導体層を形成した後、第1のイオン打ち込み法を用いて両者の界面に固相成長を阻害する不純物を導入してストッパー層を形成し、しかる後に前記異種単結晶半導体層の下層部分を所定の厚さだけ第2のイオン打ち込み法を用いて非晶質化し、その後にアニールを行い再結晶化し、しかる後に第3のイオン打ち込み法を用いて前記異種単結晶半導体層の上層部分を所定の厚さだけ非晶質化し、その後にアニールを行い再結晶化することにより結晶欠陥の減少した異種単結晶半導体層とすることを特徴とするヘテロ構造単結晶半導体薄膜の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/20
, H01L 29/78 301 X
