特許
J-GLOBAL ID：201103023795091878

半導体装置、及び半導体装置の製造方法

発明者：
荻原 千穂

荻原 千穂 について


出願人/特許権者：
ルネサスエレクトロニクス株式会社

ルネサスエレクトロニクス株式会社 について


代理人 (1件)： 工藤 実
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-003701
公開番号（公開出願番号）：特開2011-146415
出願日： 2010年01月12日
公開日（公表日）： 2011年07月28日
要約：
【課題】リッド(LID:蓋材)と配線基板との接着強度を高める。【解決手段】半導体装置は、配線基板と、この配線基板に貼り付けられたリッドを備える。このリッドには、注入口部が設けられている。このリッドの内側には、この注入口部から樹脂が注入されている。このリッドと配線基板とは、注入された樹脂により固定されている。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
半導体チップが搭載された配線基板と、 前記配線基板上で前記半導体チップを覆い、樹脂を注入するための注入口部を有するリッドと、 前記リッドの内側で、前記配線基板と前記リッドとを接着しているギャップ充填樹脂と を具備する 半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 23/02 ,  H01L 21/60 ,  H01L 21/56
FI (4件)：
H01L23/02 G ,  H01L23/02 J ,  H01L21/60 311S ,  H01L21/56 R
Fターム (6件)：
5F044KK01 ,  5F044LL01 ,  5F044RR10 ,  5F061AA01 ,  5F061BA03 ,  5F061CA02
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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