半導体基板、半導体基板の製造方法、半導体成長用基板、半導体成長用基板の製造方法、半導体素子、発光素子、表示パネル、電子素子、太陽電池素子及び電子機器

発明者： , , , ,
出願人/特許権者： , ,
代理人 (5件)：志賀正武 , 佐伯義文 , 村山靖彦 , 大浪一徳 , 大槻真紀子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-206438
公開番号（公開出願番号）：特開2011-057474
出願日： 2009年09月07日
公開日（公表日）： 2011年03月24日
要約：

【課題】結晶性の高い半導体層を有する半導体基板、半導体基板の製造方法、半導体成長用基板、半導体成長用基板の製造方法、半導体素子、発光素子、表示パネル、電子素子、太陽電池素子及び電子機器を提供する。【解決手段】芳香族系テトラカルボン酸と芳香族系テトラアミンを縮合して得られる複素環状高分子からなるグラファイト層2と、当該グラファイト層2の表面上に設けられ、当該グラファイト層2の表面を成長面とする半導体層4とを備えた半導体基板1。前記グラファイト層は結晶性に優れているため、グラファイト層の表面を成長面とする半導体層についても、結晶性に優れたものが得られる。これにより、結晶性に優れた半導体層を有する半導体基板1を得ることができる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

芳香族系テトラカルボン酸と芳香族系テトラアミンを縮合して得られる複素環状高分子からなるグラファイト層を表面に有する基板と、前記グラファイト層の表面上に設けられ、前記グラファイト層の表面を成長面とする半導体層とを備える半導体基板。

IPC (5件)：

C30B 29/38 , C30B 29/06 , C23C 14/14 , C23C 14/06 , H01L 21/203

FI (5件)：

C30B29/38 D , C30B29/06 504E , C23C14/14 B , C23C14/06 A , H01L21/203 M

Fターム (43件)：

4G077AA02 , 4G077AA03 , 4G077BA04 , 4G077BE15 , 4G077DA04 , 4G077ED05 , 4G077ED06 , 4G077EF02 , 4G077EF03 , 4G077HA12 , 4G077SA04 , 4K029AA04 , 4K029AA24 , 4K029BA35 , 4K029BA58 , 4K029BB02 , 4K029BB07 , 4K029BD01 , 4K029CA02 , 4K029CA03 , 4K029DA08 , 4K029DB03 , 4K029DB05 , 4K029DB21 , 4K029DC03 , 4K029DC04 , 4K029DC18 , 4K029DC33 , 4K029GA01 , 4K029JA02 , 5F103AA01 , 5F103AA04 , 5F103BB22 , 5F103BB38 , 5F103BB55 , 5F103DD01 , 5F103DD16 , 5F103DD30 , 5F103GG01 , 5F103HH10 , 5F103LL01 , 5F103RR01 , 5F103RR05

引用特許：

審査官引用 (3件)

芳香族有機前駆体からのモノリシック多孔性カーボンディスクの製造方法
公報種別：公表公報出願番号：特願2007-527902 出願人：ワン,ジン
気体分離膜の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-102452 出願人：大日本インキ化学工業株式会社
炭素フィルム及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-123972 出願人：東邦レーヨン株式会社

引用文献：

審査官引用 (4件)

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