特許
J-GLOBAL ID：201103024124039010
逆導電半導体デバイス及びそのような逆導電半導体デバイスを製造するための方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (9件)：
蔵田 昌俊
, 河野 哲
, 中村 誠
, 福原 淑弘
, 峰 隆司
, 白根 俊郎
, 村松 貞男
, 野河 信久
, 砂川 克
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-538726
公開番号（公開出願番号）：特表2011-507300
出願日： 2008年12月18日
公開日（公表日）： 2011年03月03日
要約：
ゲート電極として形成された第七のレイヤ(7,7’)と、エミッタ側(101)の第一の電気的接点(8)と、エミッタ側(101)の反対側のコレクタ側(102)の第二の電気的接点(9)と、を備えた逆導電半導体デバイス(RC-IGBT)(10)を製造するための方法のために、第一の側(111)及び第一の側(111)の反対側の第二の側(112)を備えた第一の導電性タイプのウエーハ(11)が、用意される。コレクタ側(112)にRC-IGBT(10)を製造するために、以下の工程が実施される。第一の導電性タイプまたは第二の導電性タイプの第一のレイヤ(32)が、第二の側(112)に作り出される。開口(121)を備えたマスク(12)が、第一のレイヤ(32)の上に作り出され、第一のレイヤ(32)の、マスク(12)の開口(121)が配置された部分が取り除かれ、第一のレイヤ(32)の残りの部分が、第三のレイヤ(3)を形成する。 その後で、第三のレイヤと異なる導電性タイプ(3)の第二のレイヤ(2)を製造するために、イオンが、第二の側(112)でウエーハ(11)の中に、ウエーハ(11)の、前記少なくとも一つの開口(121)が配置された部分に注入される。次いで、マスク(12)が取り除かれ、第二のレイヤ(2)を活性化するためのアニール工程が実施され、第二のレイヤ(2)及び第三のレイヤ(3)に対して直接電気的に接触する状態にある第二の電気的接点(9)が、第二の側(112)に作り出される。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
逆導電半導体デバイス(10)を製造するための方法であって、
当該逆導電半導体デバイスは、共通のウエーハ(11)の上に、フリー・ホイール・ダイオード及び絶縁ゲート・バイポーラ・トランジスタを有していて、この絶縁ゲート・バイポーラ・トランジスタは、エミッタ側(101)及びコレクタ側(102)を有し、
第一の側(111)及び第一の側(111)の反対側の第二の側(112)を備えた第一の導電性タイプのウエーハ(11)が、用意され、その第一の側(111)は、絶縁ゲート・バイポーラ・トランジスタのエミッタ側(101)を形成し、その第二の側(112)は、絶縁ゲート・バイポーラ・トランジスタのコレクタ側(102)を形成し、
コレクタ側(102)に逆導電半導体デバイス(10)を製造するために、
第一の導電性タイプまたは第二の導電性タイプの第一のレイヤ(32)が、第二の側(112)に作り出され、
少なくとも一つの開口(121)を備えたマスク(12)が、第一のレイヤ(32)の上に作り出され、そして、第一のレイヤ(32)の、前記マスク(12)の開口(121)が配置された部分が取り除かれ、第一のレイヤ(32)の残りの部分が第三のレイヤ(3)を形成し、
その後で、第三のレイヤ(3)と異なる導電性タイプの第二のレイヤ(2)を製造するために、イオンが、第二の側(112)でウエーハ(11)の中に、ウエーハ(11)の、前記少なくとも一つの開口(121)が配置された部分に、前記マスク(12)をイオンに対するバリアとして使用して、注入され、
その後で、マスク(12)が取り除かれ、第二のレイヤ(2)を活性化するためのアニール工程が実施され、
第二のレイヤ(2)及び第三のレイヤ(3)に対して直接電気的に接触する状態にある第二の電気的接点(9)が、第二の側(112)に作り出されること、
を特徴とする方法。
IPC (4件)：
H01L 29/78
, H01L 29/739
, H01L 27/04
, H01L 21/336
H01L29/78 655D
, H01L29/78 657D
, H01L29/78 658A
, H01L29/78 652L
