特許
J-GLOBAL ID：201103024150946131

半導体装置の作製方法

発明者：
山崎 舜平

山崎 舜平 について

, 
鈴木 邦彦

鈴木 邦彦 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-041618
公開番号（公開出願番号）：特開2011-205078
出願日： 2011年02月28日
公開日（公表日）： 2011年10月13日
要約：
【課題】信頼性の高い半導体装置を提供することを課題の一とする。また、信頼性の高い半導体装置の作製方法を提供することを課題の一とする。また、消費電力が低い半導体装置を提供することを課題の一とする。また、消費電力が低い半導体装置の作製方法を提供することを課題の一とする。【解決手段】成膜中に水素原子を含む不純物と強く結合する物質を成膜室に導入して、成膜室に残留する水素原子を含む不純物と反応せしめ、水素原子を含む安定な物質に変性することで、高純度化された酸化物半導体層を形成する。水素原子を含む安定な物質は酸化物半導体層の金属原子に水素原子を与えることなく排気されるため、水素原子等が酸化物半導体層に取り込まれる現象を防止できる。水素原子を含む不純物と強く結合する物質としては、例えばハロゲン元素を含む物質が好ましい。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
絶縁表面を有する基板上にゲート電極を形成し、 前記ゲート電極上にゲート絶縁層を形成し、 前記ゲート絶縁層に接して前記ゲート電極に重畳する酸化物半導体層を、ハロゲン元素を含む物質がガス状で導入された成膜室内で形成し、 前記酸化物半導体層を加熱処理し、 加熱処理された前記酸化物半導体層に接して、端部を前記ゲート電極に重畳するソース電極、及びドレイン電極を形成し、 前記酸化物半導体層のチャネル形成領域に重畳し、前記酸化物半導体層の表面に接して、第1の絶縁層を形成する半導体装置の作製方法。
IPC (12件)：
H01L 21/336 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/108 ,  H01L 27/115 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 21/203 ,  G02F 1/136 ,  G11C 11/405 ,  H01L 27/10 ,  H01L 21/425
FI (10件)：
H01L29/78 618A ,  H01L29/78 618B ,  H01L27/10 321 ,  H01L27/10 434 ,  H01L29/78 371 ,  H01L21/203 S ,  G02F1/1368 ,  G11C11/34 352B ,  H01L27/10 481 ,  H01L21/425
Fターム (176件)：
2H092JA24 ,  2H092KA08 ,  2H092MA05 ,  2H092MA08 ,  2H092MA10 ,  2H092MA13 ,  2H092MA17 ,  2H092MA22 ,  2H092NA22 ,  2H092NA24 ,  2H092NA26 ,  2H092PA06 ,  2H092QA06 ,  2H092QA15 ,  5F083AD02 ,  5F083AD69 ,  5F083EP02 ,  5F083EP21 ,  5F083EP76 ,  5F083EP77 ,  5F083ER21 ,  5F083GA05 ,  5F083GA11 ,  5F083JA02 ,  5F083JA05 ,  5F083JA19 ,  5F083JA35 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA53 ,  5F083JA56 ,  5F083JA60 ,  5F083LA03 ,  5F083NA01 ,  5F083PR03 ,  5F083PR05 ,  5F083PR22 ,  5F083PR33 ,  5F083PR34 ,  5F083PR40 ,  5F083ZA21 ,  5F101BA17 ,  5F101BB01 ,  5F101BD12 ,  5F101BD30 ,  5F101BD34 ,  5F101BD35 ,  5F101BE07 ,  5F101BH14 ,  5F101BH15 ,  5F101BH16 ,  5F103AA08 ,  5F103BB22 ,  5F103DD30 ,  5F103HH04 ,  5F103LL13 ,  5F103NN01 ,  5F103NN06 ,  5F103NN10 ,  5F103RR04 ,  5F110AA14 ,  5F110AA19 ,  5F110BB01 ,  5F110BB05 ,  5F110BB06 ,  5F110BB08 ,  5F110BB11 ,  5F110CC02 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD02 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE05 ,  5F110EE06 ,  5F110EE09 ,  5F110EE14 ,  5F110EE31 ,  5F110EE38 ,  5F110EE42 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110FF23 ,  5F110FF25 ,  5F110FF26 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110FF30 ,  5F110FF35 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG03 ,  5F110GG04 ,  5F110GG05 ,  5F110GG12 ,  5F110GG13 ,  5F110GG16 ,  5F110GG17 ,  5F110GG19 ,  5F110GG22 ,  5F110GG24 ,  5F110GG25 ,  5F110GG32 ,  5F110GG33 ,  5F110GG34 ,  5F110GG35 ,  5F110GG43 ,  5F110GG57 ,  5F110GG58 ,  5F110HJ01 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK05 ,  5F110HK07 ,  5F110HK21 ,  5F110HK22 ,  5F110HK40 ,  5F110HK42 ,  5F110HL01 ,  5F110HL02 ,  5F110HL04 ,  5F110HL12 ,  5F110HL22 ,  5F110HL24 ,  5F110HM03 ,  5F110HM17 ,  5F110NN03 ,  5F110NN04 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN34 ,  5F110NN40 ,  5F110NN62 ,  5F110NN72 ,  5F110NN74 ,  5F110NN77 ,  5F110NN78 ,  5F110PP01 ,  5F110PP10 ,  5F110PP13 ,  5F110PP22 ,  5F110PP26 ,  5F110PP36 ,  5F110QQ02 ,  5F110QQ19 ,  5M024AA06 ,  5M024AA94 ,  5M024BB02 ,  5M024CC02 ,  5M024CC05 ,  5M024HH01 ,  5M024HH11 ,  5M024PP01 ,  5M024PP03 ,  5M024PP04 ,  5M024PP05 ,  5M024PP07 ,  5M024PP10
引用特許：
審査官引用 (2件)

前のページに戻る

TOP

BOTTOM