特許
J-GLOBAL ID:201103024549517595

薄膜形成方法

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-550139
特許番号:特許第4254236号
出願日: 2001年12月06日
請求項(抜粋):
【請求項1】 大気圧または大気圧近傍の圧力下において、対向する2種の電極間に、100kHzを越えた高周波電圧で、且つ、1W/cm2以上の電力を供給して放電させることにより、反応性ガスをプラズマ状態とし、基材を前記プラズマ状態の反応性ガスに晒すことによって、前記基材上に薄膜を形成する薄膜形成方法であって、前記電極に供給するトータル電力が、15kWを越え、且つ前記基材が長尺フィルムであって、少なくとも前記対向する2種の電極のうち片側が前記長尺フィルムと接触し、且つ、前記長尺フィルムの搬送方向に回転するロール電極であり、前記ロール電極と対向する電極は、複数の電極群であることを特徴とする薄膜形成方法。
IPC (1件):
C23C 16/505 ( 200 6.01)
FI (1件):
C23C 16/505
引用特許:
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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