結晶性シリコン膜の形成方法及び結晶性シリコン膜の形成装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：谷川昌夫
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-109712
公開番号（公開出願番号）：特開2002-033290
特許番号：特許第3584896号
出願日： 2001年04月09日
公開日（公表日）： 2002年01月31日
請求項（抜粋）：

【請求項1】シリコン系ガスを含む原料ガスをプラズマ励起用エネルギ供給手段によりプラズマ化し、該プラズマに被成膜物品を曝して該物品上に結晶性シリコン膜を形成する方法であって、該物品表面にイオン照射量を制御してイオンビームを照射するとともに、該プラズマのポテンシャルを制御することで該物品表面に入射するイオンビームのエネルギを制御して膜形成することを特徴とする結晶性シリコン膜の形成方法。

IPC (3件)：