特許
J-GLOBAL ID：201103025195211732
固体撮像装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岡本 啓三
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-356658
公開番号（公開出願番号）：特開2002-164527
特許番号：特許第3615144号
出願日： 2000年11月22日
公開日（公表日）： 2002年06月07日
請求項（抜粋）：
【請求項1】一導電型の第1のウエル領域に形成された受光ダイオードと、該受光ダイオードの第1のウエル領域に隣接し、該受光ダイオードで発生した光発生電荷を蓄積可能に電気的に接続した一導電型の第2のウエル領域内に形成された光信号検出用絶縁ゲート型電界効果トランジスタとを備えた単位画素を有し、前記絶縁ゲート型電界効果トランジスタの部分は前記一導電型の第2のウエル領域内に設けられるとともに、前記第1のウエル領域の受光ダイオード表面に形成された反対導電型表面層に電気的に接続された反対導電型のドレイン領域及び前記ドレイン領域とチャネル領域を介して形成された反対導電型のソース領域を有し、前記光発生電荷をゲート電極下方のチャネル領域下に蓄積し、前記絶縁ゲート型電界効果トランジスタにおけるチャネル領域の閾値電圧を変調させて光信号を検出する固体撮像装置であって、前記単位画素は、行方向にある前記絶縁ゲート型電界効果トランジスタのゲート電極が相互に接続され、かつ同一の列内にある前記絶縁ゲート型電界効果トランジスタのソース領域が相互に接続され、前記受光ダイオードが自らの単位画素の絶縁ゲート型電界効果トランジスタと、隣接する単位画素の絶縁ゲート型電界効果トランジスタとによってその周辺部を囲まれ、前記絶縁ゲート型電界効果トランジスタが自らの単位画素の受光ダイオードと、隣接する単位画素の受光ダイオードとによってその周辺部を囲まれて配置され、かつ前記単位画素は、少なくとも同じ前記行内では前記ドレイン領域に電気的に接続された反対導電型の拡散領域で隣接画素と接続されていることを特徴とする固体撮像装置。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L 27/14 A
, H04N 5/335 E
, H04N 5/335 U
