特許

J-GLOBAL ID：201103025385542492

抵抗素子の製造方法

発明者： 天野 実 ,  本郷 禎人
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 外川 英明
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-184649
公開番号（公開出願番号）：特開2001-015689
特許番号：特許第3483802号
出願日： 1999年06月30日
公開日（公表日）： 2001年01月19日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 密着改善層、白金層、析出層を積層した構造を有する抵抗素子の製造方法であって、絶縁膜上に金属を含む前記密着改善層を形成する工程と、前記密着改善層上に前記白金層を形成する工程と、前記白金層上に配線電極を形成する工程と、前記配線電極を形成した後に、熱処理を行うことにより前記金属を前記白金層上に析出させることによって、前記析出層を形成する工程と、前記析出層を酸化させる工程を備えることを特徴とする抵抗素子の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/822 ,  H01L 21/8234 ,  H01L 27/04 ,  H01L 27/06

FI (2件)：

H01L 27/04 P ,  H01L 27/06 102 A

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 光電子集積回路用薄膜抵抗およびレーザダイオードアレイ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-009795   出願人：ノーザン・テレコム・リミテッド
• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-035795   出願人：日本電気株式会社
• 特開昭55-111101
  
• 特開昭62-076663