特許
J-GLOBAL ID：201103025612300964

半導体酸化物

発明者：
宮永 美紀

宮永 美紀 について

, 
吉村 雅司

吉村 雅司 について

, 
岡田 浩

岡田 浩 について

, 
曽我部 浩一

曽我部 浩一 について


出願人/特許権者：
住友電気工業株式会社

住友電気工業株式会社 について


代理人 (7件)： 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  酒井 將行 ,  荒川 伸夫 ,  佐々木 眞人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-205401
公開番号（公開出願番号）：特開2011-058012
出願日： 2009年09月07日
公開日（公表日）： 2011年03月24日
要約：
【課題】ノジュールの発生を抑制し、かつ特性を向上する半導体酸化物を提供する。【解決手段】半導体酸化物は、非結晶質の半導体酸化物であって、インジウム、ガリウム、亜鉛、酸素および窒素を含み、窒素の濃度は、1×1020atom/cc以上1×1022atom/cc以上であり、Inの濃度とGaの濃度とZnの濃度との合計の濃度に対するInの濃度の比が0.30以上0.66以下であることを特徴とする。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
非結晶質の半導体酸化物であって、 インジウム、ガリウム、亜鉛、酸素および窒素を含み、 前記窒素の濃度は、1×1020atom/cc以上1×1022atom/cc以下であり、 前記インジウムの濃度と前記ガリウムの濃度と前記亜鉛の濃度との合計の濃度に対する前記インジウムの濃度の比が0.30以上0.66以下であることを特徴とする、半導体酸化物。
IPC (4件)：
C23C 14/08 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/203
FI (5件)：
C23C14/08 D ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 618F ,  H01L21/28 301R ,  H01L21/203 S
Fターム (29件)：
4K029AA09 ,  4K029AA24 ,  4K029BA50 ,  4K029BB10 ,  4K029BC08 ,  4K029CA05 ,  4K029DC05 ,  4K029DC09 ,  4K029DC34 ,  4K029DC39 ,  4M104BB36 ,  4M104BB37 ,  4M104BB38 ,  4M104DD37 ,  4M104DD40 ,  4M104DD42 ,  4M104GG20 ,  5F103AA08 ,  5F103BB22 ,  5F103DD30 ,  5F103LL13 ,  5F110AA01 ,  5F110AA30 ,  5F110BB01 ,  5F110GG01 ,  5F110GG06 ,  5F110GG33 ,  5F110GG34 ,  5F110GG43
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (2件)

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