特許
J-GLOBAL ID：200903088078812559

p型In-Ga-Zn-O膜の成膜方法

発明者：
椎野 修

椎野 修 について


出願人/特許権者：
株式会社ブリヂストン

株式会社ブリヂストン について


代理人 (4件)： 小島 隆司 ,  重松 沙織 ,  小林 克成 ,  石川 武史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-228175
公開番号（公開出願番号）：特開2008-050654
出願日： 2006年08月24日
公開日（公表日）： 2008年03月06日
要約：
【課題】安定的にp型のIn-Ga-Zn-O膜を成膜することができるp型In-Ga-Zn-O膜の成膜方法を提供することを目的とする。【解決手段】In,Ga,及びZnを含むターゲット2を用い、酸素ガス,窒素ガス及び不活性ガスを含む雰囲気下で、複数のカソード3,4に交互にパルス電圧を印加してスパッタすることにより、In-Ga-Zn-O膜中に窒素を導入し、p型のIn-Ga-Zn-O膜を成膜する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
In,Ga,及びZnを含むターゲットを用い、酸素ガス,窒素ガス及び不活性ガスを含む雰囲気下で、複数のカソードに交互にパルス電圧を印加してスパッタすることにより、膜中に窒素が導入されたIn-Ga-Zn-O膜を得ることを特徴とするp型In-Ga-Zn-O膜の成膜方法。
IPC (2件)：
C23C 14/08 ,  H01L 21/363
FI (2件)：
C23C14/08 K ,  H01L21/363
Fターム (27件)：
4K029AA09 ,  4K029AA11 ,  4K029AA24 ,  4K029BA50 ,  4K029BB10 ,  4K029BD01 ,  4K029CA06 ,  4K029DA03 ,  4K029DC05 ,  4K029DC09 ,  4K029DC16 ,  4K029DC39 ,  4K029EA00 ,  4K029EA04 ,  4K029EA06 ,  4K029EA09 ,  5F103AA08 ,  5F103BB05 ,  5F103BB22 ,  5F103BB51 ,  5F103BB56 ,  5F103DD30 ,  5F103JJ01 ,  5F103KK10 ,  5F103LL02 ,  5F103LL20 ,  5F103NN04
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)

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